[發(fā)明專利]一種增強(qiáng)高M(jìn)EEF圖形的OPC精度的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010123638.6
• 申請(qǐng)日: 2010-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN102193305A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張婉娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/14
• 分類號(hào): G03F1/14
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種增強(qiáng)高M(jìn)EEF圖形的OPC精度的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

以原始柵格為移動(dòng)步長輸入原始數(shù)據(jù)版圖；

根據(jù)最大MEEF值將移動(dòng)步長由原始柵格轉(zhuǎn)換成中間柵格；

以中間柵格作為移動(dòng)步長進(jìn)行光學(xué)鄰近修正(OPC)；

以中間柵格為移動(dòng)步長輸出過渡的OPC數(shù)據(jù)版圖；

將中間柵格轉(zhuǎn)換為滿足掩膜版制造精度的輸出柵格；

以輸出柵格為移動(dòng)步長輸出最終的OPC后的數(shù)據(jù)版圖。

2.如權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)高M(jìn)EEF圖形的OPC精度的方法，其特征在于，所述MEEF＝ΔS₁/ΔS₂，其中ΔS₁為顯影后在晶片上測(cè)量的尺寸變化量，ΔS₂為掩膜版的尺寸變化量。

3.如權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)高M(jìn)EEF圖形的OPC精度的方法，其特征在于，所述中間柵格＝EPE_max/MEEF，其中EPE_max為OPC邊緣定位誤差的容忍度。