[發明專利]一種選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制備方法

無效

• 申請號: 201010123619.3
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN101800266A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 周呈悅;王懿喆;馬小鳳;梅偉芳
• 申請（專利權）人: 上海太陽能電池研究與發展中心
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于具體制備步驟如下：

A.首先對晶體硅基片進行常規的清洗和制絨工藝，而后放入擴散爐中進行常規磷原子擴散，在晶體硅基片上形成P-N結層，使N型層表面磷原子濃度達到10²¹cm^-3，此時在硅基片的N型層表面自然形成一層含有磷原子的磷硅玻璃層；

B.然后采用絲網印刷法在硅基片的磷硅玻璃層上印刷一層光刻膠圖案，所用的光刻膠網版圖形與印刷銀柵線電極的網版圖形形狀相似；區別在于，光刻膠網版的主柵寬度要大于銀柵線電極網版主柵寬度1-2mm，光刻膠網版的細柵線寬度要大于銀柵線電極網版細柵線寬度0.18-0.22mm，光刻膠網版的細柵線間距要小于銀柵線電極網版的細柵線間距0.2-0.25mm；再將印刷好光刻膠圖案的晶體硅基片放入熱處理爐中，在200-300℃下進行低溫熱處理，使光刻膠固化；

C.使用氫氟酸去除硅基片表面沒有光刻膠保護的磷硅玻璃層；

D.利用硫酸溶液去除光刻膠，使得硅基片的N型層表面露出按光刻膠網版生成的磷硅玻璃圖形；

E.對上述的硅基片進行高溫退火處理，退火溫度為800-1000℃，使硅基片表面的磷硅玻璃層中磷原子擴散進硅基片體內，從而在柵線電極處形成一個橫向的n⁺/n結和一個縱向的n⁺/p結；

F.使用常規的等離子體化學氣相沉積法生長氮化硅薄膜和絲網印刷法制備金屬銀柵線電極(1)和背面的鋁背場(2)，最后進行高溫燒結，形成選擇性發射極晶體硅太陽能電池。

2.根據權利要求1的一種選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所說的晶體硅包括單晶硅和多晶硅。