[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010123452.0
• 申請(qǐng)日: 2010-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN101807560A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王之奇;俞國(guó)慶;鄒秋紅;王文斌;王蔚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶方半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括：

基體，包括正面以及與所述正面相對(duì)的背面；

半導(dǎo)體器件，位于所述基體的正面；

多個(gè)焊墊，分立排布在所述半導(dǎo)體器件的外圍；

至少一個(gè)凹槽，位于所述基體的背面的邊緣區(qū)域；

通孔，位于所述凹槽的底部與所述焊墊相對(duì)應(yīng)的位置；

中介金屬層，與所述焊墊電連接；

焊接凸點(diǎn)，與所述中介金屬層電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔開口的尺寸小于所述凹槽底部的尺寸。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的數(shù)量為多個(gè)，其中每個(gè)凹槽底部設(shè)置有一個(gè)通孔。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的數(shù)量為多個(gè)，其中每個(gè)凹槽底部設(shè)置有多個(gè)通孔。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的數(shù)量為一個(gè)，所述凹槽底部設(shè)置有多個(gè)通孔。

6.如權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔側(cè)壁與所述基體的正面的夾角為銳角。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊接凸點(diǎn)位于所述中介金屬層上。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述中介金屬層和所述基體之間的絕緣層。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述中介金屬層上的保護(hù)層，所述保護(hù)層具有暴露所述中介金屬層的開口。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括基板以及位于所述基板上并與所述焊墊壓合的空腔壁。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為影像傳感芯片、發(fā)光二極管或微機(jī)電系統(tǒng)。

12.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供基體，所述基體包括正面以及與所述正面相對(duì)的背面，所述基體的正面形成有半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的外圍分立排布有多個(gè)焊墊；

在所述基體的背面的邊緣區(qū)域形成至少一個(gè)凹槽；

在所述凹槽底部與所述焊墊相對(duì)應(yīng)的位置形成通孔；

形成與所述焊墊電連接的中介金屬層；

形成與所述中介金屬層電連接的焊接凸點(diǎn)。

13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述通孔開口的尺寸小于所述凹槽底部的尺寸。

14.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽的數(shù)量為多個(gè)，其中每個(gè)凹槽底部設(shè)置有一個(gè)通孔。

15.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽的數(shù)量為多個(gè)，其中每個(gè)凹槽底部設(shè)置有多個(gè)通孔。

16.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽的數(shù)量為一個(gè)，所述凹槽底部設(shè)置有多個(gè)通孔。

17.如權(quán)利要求12至16中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述通孔側(cè)壁與所述基體的正面的夾角為銳角。

18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述焊接凸點(diǎn)位于所述中介金屬層上。

19.如權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于，在形成所述中介金屬層之前還包括：在所述基體的背面和所述通孔的側(cè)壁上形成絕緣層。

20.如權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于，在形成所述焊接凸點(diǎn)之前還包括：在所述中介金屬層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層具有暴露所述中介金屬層的開口。

21.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為影像傳感芯片、發(fā)光二極管或微機(jī)電系統(tǒng)。