[發(fā)明專利]電磁輻射致癌的Scid小鼠模型及構(gòu)建方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010123381.4
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN101838633A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾毅;趙麗嬌;崔亞松;鐘儒剛
• 申請（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C12N5/073
• 分類號(hào): C12N5/073;C12N13/00;A01K67/027
• 代理公司: 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 張燕慧

1.一種電磁輻射致癌的Scid小鼠模型及構(gòu)建方法，包括以下步驟：

(1)NIH/3T3細(xì)胞的培養(yǎng)與傳代

將NIH/3T3細(xì)胞在37℃、5％CO₂培養(yǎng)箱內(nèi)用DMEM培養(yǎng)液培養(yǎng)，培養(yǎng)液中含有10％小牛血清、1％青霉素、1％鏈霉素和1％谷氨酰胺，當(dāng)細(xì)胞生長增殖形成單層細(xì)胞并擴(kuò)展匯合后，吸出舊培養(yǎng)液，加入0.03％Versene溶液沖洗一遍，吸出洗液，然后加入胰蛋白酶消化液37℃進(jìn)行消化，消化結(jié)束后再進(jìn)行傳代；

(2)暴露實(shí)驗(yàn)

將NIH/3T3細(xì)胞在細(xì)胞培養(yǎng)板上用DMEM培養(yǎng)液培養(yǎng)，將裝有NIH/3T3細(xì)胞的培養(yǎng)板置于橫電磁波傳輸小室中，再將該小室置于5％CO₂培養(yǎng)箱中，同時(shí)，將NIH/3T3細(xì)胞暴露于功率密度為30～90W/m²的電磁輻射下，設(shè)定培養(yǎng)箱溫度為36.5℃，每天輻射2小時(shí)，培養(yǎng)4～6周；

(3)軟瓊脂培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)

配制濃度分別為1.2％和0.6％的瓊脂糖溶液，以及2×DMEM培養(yǎng)液，培養(yǎng)液中含有20％小牛血清、2％青霉素、2％鏈霉素和2％谷氨酰胺，向一支試管中加入2×DMEM培養(yǎng)液和1.2％瓊脂糖溶液各1mL，倒入細(xì)胞培養(yǎng)板中，待凝固后制成瓊脂糖基礎(chǔ)層，再向另一支試管中加入2×DMEM培養(yǎng)液和0.6％瓊脂糖溶液各0.5mL，然后接種0.2mL?NIH/3T3細(xì)胞溶液，均勻混合后加在基礎(chǔ)層上，待凝固后制成雙層瓊脂，將細(xì)胞培養(yǎng)板置于37℃、5％CO₂培養(yǎng)箱中培養(yǎng)2周；

(4)Scid小鼠致瘤實(shí)驗(yàn)

收集經(jīng)過電磁輻射的NIH/3T3細(xì)胞，對2只Scid小鼠進(jìn)行背部皮下接種，每只小鼠注射細(xì)胞懸液0.1mL，飼養(yǎng)6周后對形成的瘤塊進(jìn)行病理切片檢查。