[發明專利]一種均衡吸收輻射率和總輻射功率的移動終端及實現方法

無效

• 申請號: 201010123156.0
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN101800786A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 馬丹;王磊;趙晨飛
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02;H05K9/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 張穎玲;王黎延

技術領域

本發明涉及降低移動終端吸收輻射率(SAR，Specific?Absorption?Rate)的技術，尤其涉及一種均衡SAR和總輻射功率(TRP，Total?Radiated?Power)的移動終端及實現方法。

背景技術

SAR通常稱為吸收比值或比吸收率，是指移動終端電磁波能量吸收比值，具體含義為：在外電磁場的作用下，人體內將產生感應電磁場，由于人體各種器官均為有耗介質，因此體內的電磁場將會產生感應電流，導致人體能吸收和耗散電磁能量，生物劑量學中常用SAR來表征這一物理過程。SAR的意義為單位質量的人體組織所吸收或消耗的電磁功率，單位為W/kg，或者mW/g。

TRP通常稱為總輻射功率，是指移動終端電磁波功率的對外輻射指標，具體含義為：移動終端在空間三維球面上的射頻輻射功率的積分值，反應了移動終端在所有方向上的發射特性。但是，移動終端的TRP是有上限的，不能超過其對應的限定值，因為TRP越高，移動終端對周圍環境的輻射越大，對鄰近的設備及人體都有輻射傷害，TRP的單位為dBm。

移動終端的SAR和TRP之間有著相互制約的關系，SAR反映的是移動終端天線的近場輻射性能，TRP反映的是移動終端天線的遠場輻射性能。在移動終端SAR測試中，一般希望TRP比較小，這樣人體吸收的電磁功率才比較小，保證移動終端能通過SAR的測試標準；而在移動終端TRP測試過程中，一般希望TRP比較大，這樣從移動終端功率放大器發出進入天線的電磁波才被有效輻射，無線接口的連接性能才會更好。

隨著科技的發展，用戶在移動終端的使用過程中，開始逐漸關注移動終端對人體的輻射性傷害，希望在保證移動終端自身的輻射性能基礎上，最大程度降低對人體的損害，因而在移動終端測試項目中已增加對SAR的測試。目前，國際通用的SAR測試標準有兩個，分別為：歐洲標準限值2W/kg和美國標準限值1.6W/kg，隨著SAR測試標準的提出，掀起了降低SAR的熱潮。

圖1為現有移動終端與人體間的電磁感應結構示意圖，如圖1所示，1為移動終端，2為移動終端的外殼，3為移動終端SAR峰值熱點位置對應的機殼區域，4為移動終端的主板，5為移動終端的天線，6為人體，虛線箭頭為電磁波。在測試過程中，移動終端1的外殼2上靠近人體6的一側會出現SAR峰值區域，即圖1中3所示的區域，從圖1中可看出該區域的電磁波較密集，電磁能量也相對更強，被人體吸收的程度也最大，因而對人體造成很大傷害。

現有技術中，常用的降低SAR的技術包括：選用低SAR的天線、降低移動終端的發射功率、或在移動終端機殼或天線的表面添加吸波層等。雖然上述方法均能達到降低SAR的目的，但均存在如下缺陷。

1)如要選取低SAR的天線，在實施時對天線的空間要求較高，不僅要求天線應具有較大的面積，而且要求移動終端中的天線與地之間的高度需在8.5mm以上，而目前流行的移動終端越來越薄，使得天線與地之間的距離越來越近，難以滿足天線設計標準，即與地之間的高度大于8.5mm。可見，在現有的移動終端行業中通過該方法難以實現降低SAR的目的。

2)降低移動終端的發射功率時，測得天線的發射功率每下降1dB，SAR可隨之降低0.2-0.3W/kg，但測得的TRP也在降低，有可能使移動終端的TRP不能滿足測試標準，從而影響移動終端的通信質量。

3)在移動終端機殼或天線的表面添加吸波層，確實會降低人體所吸收的電磁功率，即能降低SAR，但吸波層同樣會吸收以電磁波形式向外輻射的有用信號，這樣，所述有用信號在一定程度上被衰減，也就是說，天線的輻射特性被降低，即TRP被降低，最終影響通信質量。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種均衡SAR和TRP的移動終端及實現方法，可在不影響移動終端TRP的前提下降低SAR。

為達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

本發明提供了一種均衡吸收輻射率SAR和總輻射功率TRP的移動終端，包括：外殼、主板和天線；所述外殼或/和主板上包含電磁輻射強的特定區域，所述電磁輻射強的特定區域一側設置有隔離層，用于隔離電磁波。

其中，所述隔離層包括吸波層和屏蔽層；其中，

所述吸波層用于吸收電磁波；所述屏蔽層用于屏蔽電磁波。

其中，所述隔離層涂敷或粘貼于所述電磁輻射強的特定區域一側。

上述方案中，所述吸波層位于緊貼所述電磁輻射強的特定區域一側，所述屏蔽層位于緊貼吸波層的另一側；或者，