[發明專利]氣體分布板及具備氣體分布板的處理室有效
| 申請號: | 201010123136.3 | 申請日: | 2010-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN102080218A | 公開(公告)日: | 2011-06-01 |
| 發明(設計)人: | 李敦熙;金范城;河周一;馬熙銓;金東建;盧東珉 | 申請(專利權)人: | TES股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 分布 具備 處理 | ||
技術領域
本發明涉及氣體分布板及具備氣體分布板的處理室,更詳細地說,涉及向被處理基板上均勻地噴射工藝氣體的氣體分布板及具備氣體分布板的處理室。
背景技術
一般而言,在用于制造集成電路裝置、液晶顯示裝置、太陽能電池等裝置的半導體制造工藝中,在被處理基板上形成薄膜的工藝是通過等離子體增強化學氣相沉積(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition,PECVD)裝置完成的。
PECVD裝置包括:基板支撐部,形成于處理室主體的內部空間,用于支撐并加熱被處理基板;以及噴頭,形成于基板支撐部的上部,用于向被處理基板噴射工藝氣體。噴頭包括:電極板,用于連接高頻電源;以及氣體分布板,形成有多個孔,用以噴射氣體。通過電極板和氣體分布板的結合,在電極板與氣體分布板之間形成可使氣體擴散的氣體擴散空間。通過形成于電極板的氣體流入口流入的氣體,擴散至氣體擴散空間后,通過氣體分布板的孔并噴向被處理基板。
形成于氣體分布板的孔,包括:氣體流入孔,形成于氣體流入的部分;氣體噴射孔,形成于氣體噴射的部分;以及通孔,具有小于氣體流入孔及氣體噴射孔的直徑,并且連結氣體流入孔和氣體噴射孔。通過鉆孔工藝形成上述結構的孔,因此,在形成小直徑孔時,會發生鉆頭破損或氣體分布板受損等問題。尤其是,隨被處理基板的面積變大,氣體分布板也要做成大面積,因此,要形成的孔數增加,導致制造時間變長,制造費用增加的問題。
發明內容
因此,本發明鑒于上述問題點而做出,其目的在于提供一種氣體分布板,制造容易,縮短制造時間,且節省制造費用。
另外,本發明還提供具備上述氣體分布板的處理室。
本發明提供的一種氣體分布板,其包括第一孔、多個貫通孔及第二孔。所述第一孔形成于第一面側。所述多個貫通孔從所述第一孔向作為所述第一面的相反面的第二面方向延伸,而且在所述各第一孔上至少連結兩個以上該貫通孔。所述第二孔從所述貫通孔延伸至所述第二面,以大于所述貫通孔的大小形成。
也可以是,當俯視時,所述第一孔形成為圓形或矩形形狀。另外,也可以是,當俯視時,所述第一孔也形成為圍繞氣體分布板中心的帶狀形成。
也可以是,所述第一孔的平面面積和深度中的至少一個隨著位置而不同。作為一例,所述第一孔形成為:從氣體分布板的中央越往邊緣部,其平面面積越大。作為另一例,所述第一孔形成為:從氣體分布板的中央越往邊緣部,其深度越深。
也可以是,所述第二孔的同所述第二面相鄰的區域,垂直于所述第二面。另外,也可以是,所述第二孔形成為傾斜狀,越往所述第二面方向,變得越寬。
也可以是,在一個所述貫通孔上連結著一個所述第二孔。另外,也可以在兩個以上所述貫通孔上共同連結著一個所述第二孔。
此外,本發明提供的另一種氣體分布板,其包括:多個第一孔,形成于第一面側;多個貫通孔,從所述各第一孔向作為所述第一面的相反面的第二面方向延伸,并且以小于所述第一孔的大小形成;以及至少一個第二孔,與至少兩個以上所述貫通孔連結,并且延伸至所述第二面。所述第二面可以形成為:從氣體分布板的邊緣部越往中央部,其與所述第一面的距離越近。
本發明還提供一種處理室,包括:基板支撐部,設置于處理室主體的內部,支撐被處理基板;以及氣體分布板,在所述處理室主體的內部,與所述基板支撐部相對著設置,向所述被處理基板方向噴射氣體。其中,所述氣體分布板包括:多個第一孔,形成于第一面側;多個第二孔,形成于作為所述第一面的相反面的第二面側;以及多個貫通孔,具有小于所述第一孔和所述第二孔的大小,并且連結所述第一孔和所述第二孔;其中,所述第一孔和所述第二孔中的至少一個,與兩個以上所述貫通孔連結。
根據上述結構的氣體分布板及具備該氣體分布板的處理室,將形成于氣體分布板的兩個面上的第一孔及第二孔中的至少一個做得較大,使其與兩個以上的貫通孔共同連結,從而縮短氣體分布板的制造時間,節省制造費用。另外,通過使第一孔的平面面積和深度中的至少一個隨著位置而不同,能夠提高沉積于被處理基板上的沉積膜的厚度均勻性。尤其是,通過將與被處理基板相對著的氣體分布板的下部面形狀做成,從邊緣部越往中央部,其與上部面越接近,就能夠提高沉積均勻性。
附圖說明
圖1是表示本發明的一實施例涉及的處理室的圖。
圖2是表示圖1所示的氣體分布板的具體結構的立體圖。
圖3是沿圖2的I-I′線剖切的剖面圖。
圖4是表示氣體流入孔的另一實施例的剖面圖。
圖5是表示氣體噴射孔的另一實施例的剖面圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TES股份有限公司,未經TES股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010123136.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





