[發明專利]成膜裝置和成膜方法有效
| 申請號: | 201010122656.2 | 申請日: | 2010-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN101826447B | 公開(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發明(設計)人: | 加藤壽;本間學 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/66;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 方法 | ||
1.一種成膜裝置,其在容器內執行按順序將互相反應的至 少2種反應氣體供給到基板上的循環,在該基板上生成反應生 成物的層,從而形成膜,其中,
包括:
基座,其能夠旋轉地設置在上述容器內,在其一個面上具 有用于載置上述基板的載置區域;
窗部,其以與上述容器的上述基座相對的方式,相對于上 述容器氣密地設置在上述容器上;
膜厚測量部,其利用光學方式透過上述窗部來測量被形成 在載置于上述基座的上述基板上的膜的膜厚;
第1反應氣體供給部,其用于將第1反應氣體供給到上述一 個面上;
第2反應氣體供給部,其沿著上述基座的旋轉方向與上述 第1反應氣體供給部隔開間隔,用于將第2反應氣體供給到上述 一個面上;
分離區域,其沿著上述旋轉方向而位于被供給上述第1反 應氣體的第1處理區域與被供給上述第2反應氣體的第2處理區 域之間,將上述第1處理區域和上述第2處理區域分離;
中央區域,其位于上述容器的中央部,用于將上述第1處 理區域和上述第2處理區域分離,并具有沿著上述一個面噴出 第1分離氣體的噴出孔;
以及排氣口,其為了對上述容器內進行排氣而設置于上述 容器上,
上述分離區域包括頂面和用于供給第2分離氣體、具有多 個沿上述基座的徑向延伸的供給孔的分離氣體供給部,該頂面 收容上述分離氣體供給部,并用于相對于上述基座的上述一個 面形成狹窄的空間,該狹窄的空間能夠供上述第2分離氣體在 上述旋轉方向上從上述分離區域流動到上述第1處理區域和上 述第2處理區域側。
2.根據權利要求1所述的成膜裝置,其中,
上述膜厚測量部包括:
多個光放射部,分別用于向上述基板的多個點放射光;
以及多個受光部,分別用于接受自上述多個光放射部放射 到上述多個點的光的反射光。
3.根據權利要求1所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置還包括控制部,該控制部構成為將由上述膜厚 測量部測量的形成于上述基板上的膜的測量膜厚與該膜的目標 膜厚進行比較,該比較的結果是在被判定為上述測量膜厚為上 述目標膜厚以上的情況下,使成膜停止。
4.根據權利要求1所述的成膜裝置,其中,
上述膜厚測量部包括橢圓偏振計。
5.一種成膜方法,其在容器內執行按順序將互相反應的至 少2種反應氣體供給到基板上的循環,在該基板上生成反應生 成物的層,從而形成膜,
該成膜方法包括以下步驟:
載置步驟,將上述基板載置到在能夠旋轉地設置于上述容 器內的基座的一個面上劃定的、用于載置上述基板的載置區域;
旋轉步驟,使載置有上述基板的上述基座旋轉;
第1反應氣體供給步驟,自第1反應氣體供給部向上述基座 供給第1反應氣體;
第2反應氣體供給步驟,自沿著上述基座的旋轉方向與上 述第1反應氣體供給部隔開間隔的第2反應氣體供給部向上述 基座供給第2反應氣體;
供給第1分離氣體并使第1分離氣體流動的步驟,自收容于 分離區域的頂面并具有多個沿上述基座的徑向延伸的供給孔的 分離氣體供給部供給第1分離氣體,在形成于上述分離區域的 頂面與上述基座之間的狹窄的空間中,使上述第1分離氣體在 上述旋轉方向上從上述分離區域流到第1處理區域和第2處理 區域側,上述分離區域位于自上述第1反應氣體供給部供給上 述第1反應氣體的第1處理區域與自上述第2反應氣體供給部供 給上述第2反應氣體的第2處理區域之間;
第2分離氣體供給步驟,自噴出孔供給第2分離氣體,該噴 出孔形成在位于上述容器的中央部的中央部區域;
排氣步驟,對上述容器進行排氣;
以及測量膜厚的步驟,利用光學方式對形成在上述基板上 的膜的膜厚進行測量,該基板處于通過上述旋轉步驟而旋轉的 上述基座上。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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