[發(fā)明專利]成膜裝置和成膜方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010122653.9 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101826446A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加藤壽;本間學(xué);菊地宏之 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 | ||
1.一種成膜裝置,其在容器內(nèi)將互相反應(yīng)的至少2種反應(yīng) 氣體按順序供給到基板的表面上且執(zhí)行該供給循環(huán),從而層疊 反應(yīng)生成物的層而形成膜,其中,
該成膜裝置包括:
基座,其被設(shè)置在上述容器內(nèi);
多個(gè)反應(yīng)氣體供給部件,其被設(shè)置成與上述基座的上表面 相對(duì)且沿該基座的周向彼此分開(kāi),用于將多種反應(yīng)氣體分別供 給到基板的表面上;
分離區(qū)域,其為了劃分自上述多個(gè)反應(yīng)氣體供給部件分別 供給反應(yīng)氣體的多個(gè)處理區(qū)域彼此的氣氛而在上述基座的周向 上設(shè)在上述多個(gè)處理區(qū)域之間,且具有用于供給分離氣體的分 離氣體供給部件;
旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),其用于使上述反應(yīng)氣體供給部件、上述分離氣 體供給部件以及上述基座繞鉛垂軸線相對(duì)旋轉(zhuǎn);
基板載置區(qū)域,其沿上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)方向地設(shè)在上述 基座上,以能夠利用該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)使上述基板按順序位于 上述多個(gè)處理區(qū)域以及上述分離區(qū)域中;
自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),其用于使載置在上述基板載置區(qū)域的上述基板 繞鉛垂軸線自轉(zhuǎn)規(guī)定角度;
以及排氣部件,其用于對(duì)上述容器內(nèi)進(jìn)行排氣,
上述分離區(qū)域具有第1頂面,該第1頂面位于上述分離氣體 供給部件的上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè),且該第1頂面與上 述基座之間形成用于供分離氣體自該分離區(qū)域流到處理區(qū)域側(cè) 的狹窄的空間,
在該第1頂面的上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)具有高于該第1頂面 的第2頂面,該第2頂面的下方的空間即配置有上述反應(yīng)氣體供給部件 的空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置具有控制部,該控制部在成膜的過(guò)程中停止由 上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的相對(duì)旋轉(zhuǎn)、且對(duì)上述自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)輸出控制信 號(hào),使得上述基板利用上述自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)而自轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置,其中,
利用上述基座的旋轉(zhuǎn)使基板按順序通過(guò)上述多個(gè)處理區(qū)域 和分離區(qū)域;
上述自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)設(shè)在上述基座的下方側(cè),自下方側(cè)頂起該基 座上的基板而使該基板旋轉(zhuǎn)并改變基板的朝向。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成膜裝置,其中,
上述自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)還具有在上述基座與外部的輸送機(jī)構(gòu)之間交 接基板的作用。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置,其中,
利用上述基座的旋轉(zhuǎn)使基板按順序通過(guò)上述多個(gè)處理區(qū)域 以及分離區(qū)域;
上述自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)設(shè)在上述基座的上方側(cè),自側(cè)方側(cè)夾持該基 座上的基板而使該基板旋轉(zhuǎn)并改變基板的朝向。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
上述基座的平面形狀俯視為圓形;
上述多個(gè)反應(yīng)氣體供給部件是分別沿上述基座的徑向延伸 的用于供給反應(yīng)氣體的部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置具有中心區(qū)域,該中心區(qū)域位于上述容器內(nèi)的 中心部以分離上述多個(gè)處理區(qū)域的氣氛,且該中心區(qū)域在上述 基座的基板載置面?zhèn)刃纬捎杏糜趪姵龇蛛x氣體的噴出孔;
利用上述排氣部件將上述反應(yīng)氣體與擴(kuò)散到上述分離區(qū)域 兩側(cè)的分離氣體以及自上述中心區(qū)域噴出的分離氣體一起排 出。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
上述基座包括在底部具有通孔的凹部、和能脫離地收容在 該凹部中的板;
上述自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)具有升降旋轉(zhuǎn)部,該升降旋轉(zhuǎn)部通過(guò)上述通 孔而抬起上述板并使該板旋轉(zhuǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成膜裝置,其中,
在上述板上形成有上述基板載置區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
上述自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括:多個(gè)臂,其在前端具有能支承上述基 板的背面周緣部的爪部;驅(qū)動(dòng)部,其能使該多個(gè)臂沿上下方向、 沿彼此靠近的方向以及呈圓弧狀移動(dòng);
上述基座還在上述基板載置區(qū)域的周緣部具有凹部,該凹 部容許上述爪部進(jìn)入而到達(dá)上述基板的背面周緣部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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