[發(fā)明專利]霍爾傳感器的圓周導磁結構無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010122509.5 | 申請日: | 2010-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN102192759A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃正輝;楊曉鋒;王永和;張東輝 | 申請(專利權)人: | 上海信耀電子有限公司 |
| 主分類號: | G01D5/12 | 分類號: | G01D5/12;H01F7/02 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 雷紹寧 |
| 地址: | 201821 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 霍爾 傳感器 圓周 結構 | ||
1.一種霍爾傳感器的圓周導磁結構,包括一環(huán)形永磁體(4)和一霍爾芯片(5),其特征是:還包括一個由導磁材料制成的圓環(huán)套筒(1)和兩個導磁塊(3),所述環(huán)形永磁體(4)固定在所述圓環(huán)套筒(1)的內(nèi)壁上,所述兩個導磁塊(3)位于所述環(huán)形永磁體(4)的內(nèi)部,所述兩個導磁塊(3)的外表面與所述環(huán)形永磁體(4)的內(nèi)表面之間設有間隙,所述霍爾芯片(5)位于所述兩個導磁塊(3)之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的圓周導磁結構,其特征是:所述導磁塊(3)呈半圓柱形。
3.根據(jù)權利要求1所述的圓周導磁結構,其特征是:所述圓環(huán)套筒(1)的一端設有底蓋(2),所述底蓋(2)由非導磁材料制成。
4.根據(jù)權利要求3所述的圓周導磁結構,其特征是:所述圓環(huán)套筒(1)與所述底蓋(2)過盈壓接,所述底蓋(2)上設有D形孔。
5.根據(jù)權利要求4所述的圓周導磁結構,其特征是:所述圓環(huán)套筒(1)上設有一定位槽(6),所述環(huán)形永磁體(4)上設有與所述定位槽(6)相配合的定位凸起(7)。
6.根據(jù)權利要求5所述的圓周導磁結構,其特征是:所述環(huán)形永磁體(4)的N極與S極的分界線沿著經(jīng)過所述定位凸起(7)的直徑方向。
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