[發明專利]薄膜晶體管、制造方法及有機發光二極管顯示裝置

有效

• 申請號: 201010122246.8
• 申請日: 2010-03-02
• 公開（公告）號: CN101826555A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 李東炫;李基龍;徐晉旭;梁泰勛;樸炳建;李吉遠;馬克西姆·莉薩契克;鄭在琓
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;薛義丹

1.一種薄膜晶體管，包括：

基底；

緩沖層，形成在基底上，其中，緩沖層是絕緣層；

硅層，設置在緩沖層上；

擴散層，設置在硅層上；

利用金屬催化劑結晶化的半導體層，設置在擴散層上；

柵電極，設置在基底上，面對半導體層的溝道區；

柵極絕緣層，設置在柵電極和半導體層之間；

源電極和漏電極，分別電連接到半導體層的源極區和漏極區，

其中，擴散層由氮化硅層形成，或由堆疊的氮化硅和氧化硅層形成，

其中，通過在擴散層上形成非晶硅層，在非晶硅層上形成金屬催化劑層， 將基底退火以將非晶硅層轉變為多晶硅層，去除金屬催化劑層，并且將多晶 硅層圖案化以形成半導體層，使硅層和半導體層形成為具有不同的晶粒尺寸。

2.根據權利要求1的薄膜晶體管，其中，硅層和半導體層由多晶硅形成。

3.根據權利要求1的薄膜晶體管，其中，硅層、半導體層和擴散層包含 金屬催化劑。

4.根據權利要求3的薄膜晶體管，其中，金屬催化劑由從由Ni、Pd、 Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、Ti和Cd組成的組中選擇的一種形成。

5.根據權利要求1的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管還包括直接設置在柵 電極上的層間絕緣層，其中：

硅層直接設置在緩沖層上；

擴散層直接設置在硅層上；

半導體層直接設置在擴散層上；

柵極絕緣層直接設置在半導體層上；

柵電極直接設置在柵極絕緣層上；

層間絕緣層直接設置在柵極絕緣層的一部分上；

源電極和漏電極通過層間絕緣層與柵電極絕緣。

6.根據權利要求1的薄膜晶體管，其中：

柵電極設置在半導體層上；

柵極絕緣層直接設置在半導體層和擴散層的一部分上；

硅層直接設置在緩沖層上；

擴散層直接設置在硅層上；

半導體層直接設置在擴散層上；

源電極和漏電極經形成在柵極絕緣層中的開口連接到半導體層。

7.一種制造薄膜晶體管的方法，所述方法包括如下步驟：

在基底上形成緩沖層，其中，緩沖層是絕緣層；

在緩沖層上形成硅層；

在硅層上形成擴散層；

在擴散層上形成非晶硅層；

在非晶硅層上形成金屬催化劑層；

將基底退火以將非晶硅層轉變為多晶硅層；

去除金屬催化劑層；

將多晶硅層圖案化以形成半導體層；

在基底上形成柵極絕緣層；

在基底上形成面對半導體層的柵電極；

在基底上形成層間絕緣層；

形成連接到半導體層的源電極和漏電極，

其中，擴散層由氮化硅層形成，或由堆疊的氮化硅和氧化硅層形成，

其中，硅層和半導體層形成為具有不同的晶粒尺寸。

8.根據權利要求7的方法，其中，在非晶硅層和金屬催化劑層之間形成 覆蓋層之后執行退火步驟。

9.根據權利要求7的方法，其中，在從350℃至500℃的溫度執行退火 步驟。

10.根據權利要求7的方法，其中，金屬催化劑層由從由Ni、Pd、Ag、 Au、Al、Sn、Sb、Cu、Ti和Cd組成的組中選擇的一種形成。