[發明專利]集成電路內的結構特征形成有效
| 申請號: | 201010121925.3 | 申請日: | 2010-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN101807570A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發明(設計)人: | G·M·耶里克 | 申請(專利權)人: | ARM有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/00 | 分類號: | H01L27/00;H01L23/52;H01L23/48;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霽晨;李家麟 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 英國;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 結構 特征 形成 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路領域。更具體地,本發明涉及集成電路設計, 所述集成電路設計經調適以便更容易地被制造。
背景技術
通過光刻工藝來制造集成電路是已知的,由此集成電路由一層在 另一層之上而形成的多個層組成。典型地,所形成的層中的一個或多 個包括接觸層,該接觸層為下面的層(諸如多晶硅層或擴散層)提供 電觸點(electrical?contacts)。如下也是已知的:形成包括通孔(via) 的層,用于為下面的層提供電觸點。由于制程幾何結構已經在尺寸上 減小,因此,形成能夠在一個操作中印刷完整光刻層的掩模(mask) 變得困難。為了解決此問題,如下是已知的:利用所謂的“雙重圖案”, 由此兩個圖案層被依次印刷且一起形成光刻層,所述光刻層被用于控 制進一步的工藝(諸如蝕刻、沉積等等)。通過將光刻層的形成分成 兩個或更多的印刷圖案層,使如下變得可能:將所述掩模的特征在不 同的圖案層中進一步間隔開,這能夠使得這些掩模被更容易地形成和 印刷。
在集成電路領域中如下也是已知的:形成多個器件的電路,其中 所形成的電路的性能特性依據于組合而形成該電路的所述器件的匹 配程度。作為例子,當在集成電路上形成讀出放大器(sense?amplifier) 或運算放大器時,形成那些電路的各種器件(晶體管)具有緊密匹配 特性是重要的,以便避免該電路的整體性能特性的降低,例如,運算 放大器中的不匹配的器件可能產生不期望的高偏移電壓,或讀出放大 器中的不匹配的器件可能使該讀出放大器不利地對電壓差的一個極 性相對于電壓差的另一極性不敏感。因為隨著制程幾何結構在尺寸上 下降,存在制造差異增加的一般趨勢,所以隨著制程幾何結構在尺寸 上下降,對于不匹配器件的這種敏感性變得更大。在集成電路中形成 的電路的性能特性的這種降低可以足以以不可接受的方式降低成品 率(yield)和/或總性能。隨著器件幾何結構變得更小,該問題也變得 更嚴重。
發明內容
從一個方面看,本發明提供了一種使用光刻工藝形成的集成電 路,該光刻工藝包括從多個單獨印刷的圖案層形成光刻層的階段,該 集成電路包括:具有多個器件的電路,每一器件包括使用所述光刻層 形成的一個或多個結構特征,所述多個器件中的至少兩個是匹配的器 件,以致于隨著所述匹配的器件偏離于具有匹配的性能特性,所述電 路的性能被降低;以及一個或多個虛擬(dummy)結構特征,其相對 于所述匹配的器件中的每一個的一個或多個結構特征而被設置,以便 迫使所述匹配的器件中的每一個的所述一個或多個結構特征形成于 所述圖案層中的一個共同圖案層中。
本發明的技術認識到:當多個圖案層被用以產生用于形成結構特 征的光刻層時,如果用于不同的匹配的器件的所述結構特征形成于不 同圖案層,則那些匹配裝置之間的可能的不匹配將會不利地增加。不 僅認識到該問題,本發明的技術提供了在所述電路的設計中使用虛擬 結構特征(并非為該電路的正常功能所需要的結構特征)的解決方案, 這些虛擬結構特征相對于所述匹配的器件的所述結構特征而被放置, 以便迫使所述匹配的器件的所述結構特征形成于同一圖案層中。通過 迫使匹配的器件的所述結構特征形成于同一圖案層中,那些結構特征 之間的變化可以被減少,且因此不匹配等級可以被降低。
所形成的所述結構特征可以變化。本發明的技術可用于觸點和/ 或通孔的形成中。
根據用于相關的制造工藝的設計規則,所述虛擬結構特征可用來 迫使所述匹配的器件的所述結構特征進入同一圖案層所用的方式可 以變化。然而,一個使用虛擬結構特征是有利的頻繁發生的狀況為: 當所述圖案層中的每一個中的所述結構特征具有最小間隔時。以此方 式,如果虛擬結構特征被放置為相距匹配的器件的兩個結構特征小于 最小間隔,所述兩個結構特征可或不可形成于同一圖案層中,則所述 虛擬結構特征的出現將迫使所述器件的所述結構特征位于與所述虛 擬結構特征不同的圖案層中,且因此很可能在與彼此相同的層中。
同時,應了解:為了產生所述光刻層而被形成的圖案層的數目可 以變化。常見的情況為:存在一起形成光刻層的兩個圖案層,且使用 虛擬結構特征的本發明的技術在這種雙重圖案技術的情形下尤其有 效。
盡管應了解包含匹配的器件的電路可以采取多種不同的形式,但 本發明的技術適用的通常形式為:包括運算放大器和讀出放大器的集 成電路,因為這些電路對器件不匹配是敏感的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





