[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010121566.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-02-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101840982A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金省均 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/20 | 分類號(hào): | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件,包括:
第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層;
在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層;和
在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層,其中在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上形成有圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件,其中所述圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)具有0.1~20nm的高度和0.1~20nm的節(jié)距。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件,還包括沿所述圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件,還包括沿所述圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的透明電極層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體發(fā)光器件,其中所述透明電極層包括選自ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、IZTO(氧化銦鋅錫)、IAZO(氧化銦鋁鋅)、IGZO(氧化銦鎵鋅)、IGTO(氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)、ATO(氧化銻錫)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件,其中所述圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)包括錐形。
7.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法,所述方法包括:
沉積第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層;
在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成金屬層;
通過(guò)對(duì)所述金屬層進(jìn)行熱處理形成金屬點(diǎn)層;和
蝕刻所述金屬點(diǎn)層,以在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的表面上形成具有納米尺寸的圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中所述金屬點(diǎn)層的蝕刻通過(guò)照射激光來(lái)實(shí)施。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法,其中所述激光包括準(zhǔn)分子激光。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中所述金屬層包括選自Ni、Cr、Ag、Ti、Al、Pt、Au及其合金中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中所述圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)具有0.1~20nm的高度和0.1~20nm的節(jié)距。
12.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,還包括沿所述圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,還包括沿所述圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成透明電極層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法,其中所述透明電極層包括選自ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、IZTO(氧化銦鋅錫)、IAZO(氧化銦鋁鋅)、IGZO(氧化銦鎵鋅)、IGTO(氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)、ATO(氧化銻錫)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中所述圖案化的粗糙結(jié)構(gòu)包括錐形。
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