[發明專利]半導體制造工藝用吸光分析裝置

無效

• 申請號: 201010121550.0
• 申請日: 2010-02-11
• 公開（公告）號: CN101814425A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 秋山修;秋本雅司;守屋剛;山涌純
• 申請（專利權）人: 株式會社島津制作所;東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;G01N21/31
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李貴亮

1.一種半導體制造工藝用吸光分析裝置，其中，

具備：

流路切換機構，其與半導體制造工藝的處理室的排氣流路連接；

多重反射型水分濃度計測用吸光分析計，其是經由所述流路切換機構 與所述排氣流路連接的吸光分析計，該吸光分析計具備使從所述排氣流路 排出的工藝氣體流通的單元、及使來自激光光源的激光在所述單元內多重 反射而對所述單元內的工藝氣體的吸光度變化進行檢測的光學系統，由此 對工藝氣體中的水分濃度進行測定，其特征在于，

所述流路切換機構按照將所述排氣流路在經由所述吸光分析計的所 述單元而被排氣的計測用流路和不經由所述單元而被排氣的旁通流路之 間切換并連接的方式構成。

2.如權利要求1所述的吸光分析裝置，其特征在于，

所述處理室內具備對工藝氣體中包含的顆粒進行計測的顆粒計數器。

3.如權利要求2所述的吸光分析裝置，其特征在于，

具備與所述流路切換機構、所述顆粒計數器及所述吸光分析計按可通 信的方式連接的控制部，

所述流路切換機構在工藝氣體中的水分濃度測定中將所述排氣流路 與所述計測用流路連接，

所述控制部在所述顆粒計數器檢測到工藝氣體中有一定量以上的顆 粒時，將所述流路切換機構切換為所述旁通流路。

4.如權利要求1所述的吸光分析裝置，其特征在于，

在所述排氣流路直接連接有在所述處理室側所配置的主排氣泵和在 所述主排氣泵的下游所配置的粗抽真空用泵，

所述流路切換機構配置在所述主排氣泵和粗抽真空用泵之間。

5.如權利要求4所述的吸光分析裝置，其特征在于，

所述流路切換機構具備在主排氣泵側所配置的第一切換閥和在所述 粗抽真空用泵側所連接的第二切換閥，第一切換閥與所述單元的氣體導入 口連接，第二切換閥與所述單元的排出口連接，并且，在兩切換閥間連接 有短路流路，

通過兩切換閥的切換，將所述計測用流路作為來自所述處理室的廢氣 經由所述單元的流路而構成，將所述旁通流路作為來自所述處理室的廢氣 不經由所述單元而經由兩切換閥間的短路流路的流路而構成。