[發明專利]有序納米纖維宏量制備裝置

有效

• 申請號: 201010120814.0
• 申請日: 2010-03-05
• 公開（公告）號: CN101787623A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 孫道恒;鄭高峰;吳德志;王晗;李文望
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: D04H3/16
• 分類號: D04H3/16;D01D5/00
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森

1.有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于設有直流高壓電源、溶液槽、溶液通道、噴 頭、控制器、收集板、矩陣電極、基座、繼電器組、控制總線和輔助低壓直流電源；溶液槽 通過溶液通道與噴頭相連通，向噴頭補充溶液；直流高壓電源正極通過導線與噴頭相接，直 流高壓電源負極與輔助直流電源負極相連，并且接地；矩陣電極放置于基座上方，收集板放 置于矩陣電極上表面；繼電器組輸出端接矩陣電極，繼電器組的常閉端接輔助直流電源，繼 電器組的常開端接地，繼電器組的控制端通過控制總線接控制器。

2.如權利要求1所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于所述矩陣電極中各個電 極上表面處于同一水平面，均與收集板保持接觸。

3.如權利要求1或2所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于所述矩陣電極為方 形矩陣電極或圓形矩陣電極；矩陣電極中電極直徑為5～50mm。

4.如權利要求1所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于所述收集板為絕緣薄板、 絕緣膜或半導體薄板，絕緣薄板的厚度為0.02～1mm，所述絕緣膜的厚度為0.02～1mm，半 導體薄板的厚度為0.1～0.5mm。

5.如權利要求1所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于收集板為平面收集板或 具有微孔或微突起結構的收集板。

6.如權利要求5所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于所述微孔為環形微孔、 矩形微孔或三角形微孔；所述微突起結構為弧形微突起結構或圓形微突起結構，微突起結構 的高度為2～50μm。

7.如權利要求1所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于所述噴頭至收集板距離 為5～25mm。

8.如權利要求1所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于所述噴頭為單個空心針 頭，單個實心針頭，陣列空心針頭，陣列實心針頭或圓筒式噴頭。

9.如權利要求8所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于所述陣列空心針頭為單 行排列，所述陣列實心針頭為單行排列，所述陣列空心針頭的數量為2～20個，所述陣列實 心針頭的數量為2～20個。

10.如權利要求1所述的有序納米纖維宏量制備裝置，其特征在于所述直流高壓電源的 電壓值為0～40kV，輔助低壓直流電源的電壓為0～800V。