[發明專利]用于制造數據存儲介質的方法

有效

• 申請號: 201010120435.1
• 申請日: 2010-01-27
• 公開（公告）號: CN101794600A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 彭應國
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B7/26
• 分類號: G11B7/26
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;袁逸

1.一種制造數據存儲介質的方法，包括：

在襯底上沉積第一層，所述第一層包括磁性材料和非磁性材料；

沉積第一層之后，加熱所述沉積的第一層；

以與第一層相同的方式在所述第一層上沉積第二層，所述第二層包括磁性材 料和非磁性材料；以及

沉積第二層之后，加熱所述沉積的第二層和所述沉積的第一層以形成單層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性材料包括FePt、CoPt、 FePd、CoPd、NiPt或AlMn中的至少之一。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述非磁性材料包括MgO、C、 SiO₂、TiO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、BN、SiNx、B₄C中的至少之一。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括沉積所述第一層以使其具有 范圍為0.2nm至5.0nm的厚度。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括沉積所述第二層以使其具有 范圍為0.2nm至5.0nm的厚度。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括加熱所述沉積的第一層至范 圍為350℃至750℃的溫度。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括在范圍為1.0秒至60.0秒的 時間內加熱所述沉積的第一層。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括加熱所述沉積的第二層和所 述沉積的第一層至范圍為350℃至750℃的溫度。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括在范圍為1.0秒至60.0秒的 時間內加熱所述沉積的第二層和所述沉積的第一層。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括沉積來自含磁性材料和非磁 性材料的復合靶的所述第一層和所述第二層。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括通過由含磁性材料的第一靶 和含非磁性材料的第二靶共沉積來沉積所述第一層和所述第二層。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括通過沉積來自含磁性材料的 第一靶的磁性層并在所述磁性層上沉積來自含非磁性材料的第二靶的非磁性層來 沉積所述第一層和所述第二層。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括構造所述第一層和所述第二 層以形成磁記錄層。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，包括在所述磁記錄層中的磁性 材料的晶粒具有范圍為2.0nm至20.0nm的尺寸。

15.如權利要求13所述的方法，其特征在于，包括所述磁記錄層具有范圍為 1×10⁷爾格／立方厘米至10×10⁷爾格／立方厘米的磁各向異性。

16.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述第一層和第二層上沉積附加層，所述附加層包括磁性材料和非磁性材 料；以及

沉積附加層之后，加熱所述沉積的附加層以及所述沉積的第二層和所述沉積 的第一層。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，包括構造所述第一層、所述第 二層和所述附加層以形成磁記錄層。

18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，包括在所述磁記錄層中的磁性 材料的晶粒具有范圍為2.0nm至20.0nm的尺寸。

19.如權利要求17所述的方法，其特征在于，包括所述磁記錄層具有范圍為 1×10⁷爾格／立方厘米至10×10⁷爾格／立方厘米的磁各向異性。