[發明專利]厚膠紫外光斜入射背面光刻工藝的光強分布模擬方法

無效

• 申請號: 201010120161.6
• 申請日: 2010-03-08
• 公開（公告）號: CN101776849A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 周再發;黃慶安;李偉華
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G06F17/50
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種厚膠紫外光斜入射背面光刻工藝的光強分布模擬方法，其特征在于：

a、基于光學標量衍射理論的菲涅耳-基爾霍夫衍射積分方程，利用紫外光斜入射的旁軸近似技術來處理這個積分方程，推出了適合SU-8膠紫外光斜入射背面光刻工藝的光強計算模型；

b、背面斜入射紫外光的光強計算模型中，綜合考慮了背面斜入射紫外光在空氣/掩模版、掩模版/SU-8膠界面的反射與折射，以及背面斜入射紫外光在SU-8膠內的衰減等因素，高精度地模擬SU-8膠紫外光斜入射背面光刻工藝的光強分布；

滿足以上兩個條件的方法即該視為該SU-8膠紫外光斜入射背面光刻工藝的光強分布模擬方法；

本方法的步驟如下：

a、根據工藝條件，輸入掩模孔尺寸左右邊界坐標、背面斜入射紫外光在空氣中的入射角、斜入紫外光在空氣中的波長、空氣相對折射率、掩模版材料及其相對折射率、SU-8膠厚度、SU-8膠相對折射率、斜入射紫外光光源的輻射光強值；將需要進行光強分布模擬的SU-8膠區域細分成小正方形網格組成的陣列，并采用二維矩陣來代表這個陣列；

b、根據背面斜入射紫外光在空氣中的入射角度、空氣的相對折射率、掩模材料及其相對折射率、SU-8膠相對折射率，確定背面斜入射紫外光進入掩模版和SU-8膠時的入射角度；

c、利用紫外光斜入射的旁軸近似技術來處理菲涅耳-基爾霍夫衍射積分方程，平移菲涅耳積分上下限，得到不考慮背面斜入射紫外光反射以及斜入射紫外光在SU-8膠內的衰減的光強值計算模型；

d、考慮背面斜入射紫外光在空氣/掩模版、掩模版/SU-8膠界面的反射與折射、以及斜入射紫外光在SU-8膠內的衰減，得到SU-8膠內部任意一個網格處的光強值的計算模型；

e、重復利用上面的SU-8膠內部任意一個網格處的光強值的計算模型得到SU-8膠中每一網格處的光強值，最終得到SU-8膠內部斜入射紫外光的光強分布模擬結果。