[發(fā)明專利]發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010119537.1
• 申請日: 2010-02-20
• 公開（公告）號: CN101820042A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 飯塚和幸;新井優(yōu)洋
• 申請（專利權(quán)）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/46
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件。特別地，本發(fā)明涉及一種發(fā)光輸出高的發(fā)光元 件。

背景技術(shù)

以前，眾所周知發(fā)光元件具備：在一個表面上具有陽極電極的硅支撐基板， 在硅支撐基板的另一個表面上設(shè)置的金屬反射層，在金屬反射層上設(shè)置的、與 金屬反射層歐姆接觸的光透過膜，在光透過膜上設(shè)置的、與光透過膜歐姆接觸 的、具有被p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層夾著的活性層的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，在 半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)上設(shè)置的陰極電極(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1中記載的發(fā)光元件，在半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)與金屬反射層之間配置 具有導(dǎo)電性的光透過膜，與半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)和金屬反射層兩個都歐姆接觸的同 時，抑制半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)與金屬反射層之間的合金化，所以能夠構(gòu)成具有優(yōu)異 的光反射特性的金屬反射層，能夠提供提高了發(fā)光效率的發(fā)光元件。

專利文獻1：日本特開2005-175462號公報

發(fā)明內(nèi)容

但是，對于專利文獻1中記載的發(fā)光元件而言，由于要將與除了陰極電極 的正下方以外的區(qū)域的活性層的相同程度的電流，供給到陰極電極的正下方的 活性層，所以從陰極電極的正下方的活性層發(fā)出的光被陰極電極吸收，發(fā)光元 件的發(fā)光輸出的提高有極限。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠使得發(fā)光輸出提高的發(fā)光元件。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，包括：具有第1導(dǎo)電型的 第1半導(dǎo)體層、與第1導(dǎo)電型不相同的第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層以及夾持在 第1半導(dǎo)體層和第2半導(dǎo)體層之間的活性層的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，具有設(shè)置在半 導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的一個面上的中心電極以及從中心電極的外周開始延伸的細線 電極的表面電極，在半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的另一個面的除了表面電極的正下方以外 的部分上沿著細線電極平行設(shè)置的接觸部，該接觸部具有與細線電極之間形成 最短的電流通路的多個第1區(qū)域以及連接多個第1區(qū)域的第2區(qū)域；對于表面 電極而言，比起細線電極和第1區(qū)域之間的最短的電流通路，中心電極和接觸 部之間的最短的電流通路更長，細線電極的端部和接觸部之間的最短的電流通 路具有細線電極和第1區(qū)域之間的最短的電流通路以上的長度。

另外，對于上述發(fā)光元件而言，半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的膜厚的平方與中心電極 和接觸部之間的在頂視圖中的最短距離的平方之和的平方根也可以大于半導(dǎo) 體層疊結(jié)構(gòu)的膜厚的平方與細線電極和接觸部之間的在頂視圖中的最短距離 的平方之和的平方根。

另外，對于上述發(fā)光元件而言，還可以包括具有反射活性層發(fā)出的光的反 射層的支撐基板和在反射層和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)之間設(shè)置的透明層，支撐基板隔 著透明層支撐半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，接觸部貫通透明層并與半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)和反射 層電連接。另外，半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)可以在一個面的一部分上具有算術(shù)平均粗度 為100nm以上的凹凸形狀部。

另外，上述發(fā)光元件還可以包括：對于半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)而言，從一個面開 始到另一個面除去半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的一部分，通過除去半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的一部 分使接觸部的一部分向外部露出，在露出外部的接觸部的一部分上設(shè)置第2 墊子電極。

根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件，能夠提供一種能夠使得發(fā)光輸出提高的發(fā)光元 件。

附圖說明

圖1A為第1實施方式的發(fā)光元件的頂視示意圖。

圖1B為第1實施方式的發(fā)光元件的縱截面示意圖。

圖1C為第1實施方式的發(fā)光元件的頂視的詳細圖。

圖1D為表示第1實施方式的發(fā)光元件的縱截面的一部分的圖。

圖2A為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2B為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2C為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2D為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2E為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2F為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2G為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2H為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2I為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2J為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2K為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。

圖2L為第1實施方式的發(fā)光元件的制造工序圖。