[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010119463.1
• 申請(qǐng)日: 2010-02-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101819931A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中山知士;笠間佳子;藤倉(cāng)榮一;菊池敦志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3105
• 分類號(hào): H01L21/3105;H01L21/311
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 楊海榮;穆德駿

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含：

通過(guò)干法蝕刻去除在含Ni硅化物層上形成的絕緣層，從而使所述 含Ni硅化物層至少部分地露出；以及

使用還原水清洗所述含Ni硅化物層的露出部，

其中所述還原水是堿性還原性水溶液，且

其中所述還原水是包含0.01ppm以上且1000ppm以下氨的富氫 水或電解還原水。

2.如權(quán)利要求1中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

所述還原水具有的pH值大于7，并且具有負(fù)ORP(氧化-還原電位)。

3.如權(quán)利要求1中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

在所述使所述含Ni硅化物層露出之后，在不使所述露出的表面經(jīng) 受使用含氧化性氣體的氣體進(jìn)行的任何處理、并且不使所述露出的表 面接觸pH≤7的任何液體的情形下，使用所述還原水清洗露出的表面。

4.如權(quán)利要求1中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

在所述通過(guò)干法蝕刻去除絕緣層時(shí)，在所述絕緣層中形成凹部； 以及

在所述清洗中，使用所述還原水清洗所述凹部。

5.如權(quán)利要求1中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，進(jìn)一步包含：

在使用所述還原水進(jìn)行所述清洗之后，在不使所述清洗的表面接 觸pH≤7的任何液體的情形下，對(duì)清洗的表面進(jìn)行干燥的工序。

6.如權(quán)利要求5中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，進(jìn)一步包含：

在所述干燥所述清洗的表面之后，在凹部形成阻擋金屬和金屬膜 的工序。

7.如權(quán)利要求6中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

在所述干燥所述清洗的表面之后，在不使所述干燥的表面經(jīng)受使 用含氧化性氣體的氣體進(jìn)行的任何處理、并且不使所述干燥的表面接 觸pH≤7的任何液體的情形下，在所述凹部形成所述阻擋金屬和所述 金屬膜。

8.如權(quán)利要求4中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

所述絕緣層至少具有第一絕緣膜以及在其上表面形成的第二絕緣 膜。

9.如權(quán)利要求8中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

所述形成所述凹部進(jìn)一步包含：

使用抗蝕劑層作為掩模，來(lái)選擇性地蝕刻所述第二絕緣膜；

去除所述抗蝕劑層；以及

使用所述第二絕緣膜作為掩模，來(lái)選擇性地蝕刻所述第一絕緣膜。

10.如權(quán)利要求8中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

所述第一絕緣膜是氮化硅膜。

11.如權(quán)利要求8中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

所述第二絕緣膜是氧化硅膜。

12.如權(quán)利要求1中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

所述含Ni硅化物層選自NiSi層、NiPtSi層以及這些層的堆疊。

13.如權(quán)利要求6中所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中

在使用所述還原水的所述清洗之后，從所述含Ni硅化物層被所述 還原水覆蓋的時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始，直到在所述凹部形成所述阻擋金屬和所述 金屬膜的時(shí)間點(diǎn)為止，在這一期間不使所述含Ni硅化物層接觸水。