[發明專利]磁控濺射陰極、磁控濺射設備及制造磁性器件的方法

有效

• 申請號: 201010119100.8
• 申請日: 2010-02-24
• 公開（公告）號: CN101824600A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 遠藤徹哉;愛因斯坦·諾埃爾·阿巴拉
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種磁控濺射陰極，其包括：

靶材，所述靶材具有：

第一環狀槽，其被設置于所述靶材的第一面；

第一環狀突起，其被設置于所述靶材的與所述第一面 相反側的第二面上的至少與所述第一環狀槽相對的位置；

第二環狀槽，其被設置于所述第二面上的所述第一環 狀突起的外側和內側中的至少一側；以及

第二環狀突起，其被設置于所述第二面上的所述第二 環狀槽的外側和內側中的至少一側；

第一磁體，其在所述靶材的所述第二面側位于所述靶材的 所述第一環狀槽的內側；

第二磁體，其具有與所述第一磁體的極性不同的極性，并 且所述第二磁體在所述靶材的所述第二面側位于所述靶材的所 述第一環狀槽的外側，

其中，所述第一環狀槽、所述第二環狀槽、所述第一環狀 突起和所述第二環狀突起位于所述第一磁體和所述第二磁體之 間。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射陰極，其特征在于，在 所述靶材與所述第一和第二磁體之間設置墊板。

3.根據權利要求1所述的磁控濺射陰極，其特征在于，所 述第一環狀槽和所述第二環狀槽之間的距離是4mm以下。

4.根據權利要求1所述的磁控濺射陰極，其特征在于，所 述第一環狀槽的深度比所述第一環狀槽的槽寬小。

5.一種靶材，其被構造成被設置于陰極，所述陰極包括： 第一磁體；以及第二磁體，其被布置成包圍所述第一磁體，并 且所述第二磁體具有與所述第一磁體的極性不同的極性，所述 靶材包括：

第一區域，其與所述第一磁體相對；

第二區域，其與所述第二磁體相對；

第一環狀槽，其被設置于所述靶材的第一面；

第一環狀突起，其被設置于所述靶材的與所述第一面側相 反的第二面上的至少與所述第一環狀槽相對的位置；

第二環狀槽，其被設置于所述第二面上的所述第一環狀突 起的外側和內側中的至少一側；以及

第二環狀突起，其被設置于所述第二面上的所述第二環狀 槽的外側和內側中的至少一側；

其中，所述第一環狀槽、所述第二環狀槽、所述第一環狀 突起和所述第二環狀突起位于所述第一區域和所述第二區域之 間。

6.一種磁控濺射設備，其包括：

根據權利要求1所述的磁控濺射陰極；

排氣部件；以及

氣體導入部件，其用于導入處理氣體。

7.根據權利要求6所述的磁控濺射設備，其特征在于，在 所述靶材與所述第一和第二磁體之間設置墊板。

8.一種制造磁性器件的方法，其利用根據權利要求6所述 的磁控濺射設備來制造磁性器件。