[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010118976.0
• 申請日: 2010-01-27
• 公開（公告）號: CN102136476A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳建樺;李德章
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/822;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

(a)提供一基材，該基材包括至少一溝槽及至少一導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)位于該溝槽內(nèi)；

(b)形成一第一金屬層于該基材上，該第一金屬層包括一第一下電極，該第一金屬層直接接觸該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)；

(c)形成一第一介電層及一第一上電極于該第一下電極上，其中該第一介電層位于該第一上電極及該第一下電極之間，且該第一上電極、該第一介電層及該第一下電極形成一第一電容；

(d)形成一第一保護層，以包覆該第一電容，該第一保護層包括至少一第一開口，該第一開口顯露部分該第一上電極；

(e)形成一第二金屬層于該第一保護層上，該第二金屬層包括一第一電感，該第二金屬層直接接觸該第一上電極；及

(f)形成一第二保護層，以包覆該第一電感。

2.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(a)中，該基材具有一第一表面及一第二表面，該溝槽貫穿該基材的第一表面及第二表面，且該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)顯露于該基材的第一表面及第二表面，以形成一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)，該步驟(b)中，該第一金屬層位于該基材的第一表面。

3.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(a)中，該基材具有一第一表面及一下表面，該溝槽開口于該基材的第一表面，且該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)顯露于該基材的第一表面，該步驟(b)中，該第一金屬層位于該基材的第一表面。

4.如權(quán)利要求3的方法，其中該步驟(f)之后，更包括：

(g)設(shè)置該基材于一載體上，其中該基材的第一表面面對該載體；

(h)從該基材的下表面移除部分該基材，以形成一第二表面，且顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)于該第二表面，以形成一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)；

(i)形成至少一電性組件于該基材的第二表面；及

(j)移除該載體。

5.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(a)中，該基材具有一上表面及一第二表面，該溝槽開口于該基材的第二表面，且該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)顯露于該基材的第二表面。

6.如權(quán)利要求5的方法，其中該步驟(a)之后，更包括：

(a1)形成至少一電性組件于該基材的第二表面；

(a2)設(shè)置該基材于一載體上，其中該基材的第二表面面對該載體；及

(a3)從該基材的上表面移除部分該基材，以形成一第一表面，且顯露該導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)于該第一表面，以形成一穿導(dǎo)孔結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6的方法，其中該步驟(b)中，該第一金屬層位于該基材的第一表面。

8.如權(quán)利要求6的方法，其中該步驟(f)之后，更包括一移除該載體的步驟。

9.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(b)包括：

(b1)形成一第一晶種層于該基材上；

(b2)形成一第一光阻于該第一晶種層上，以覆蓋部分該第一晶種層，且顯露部分該第一晶種層；

(b3)形成一第一電鍍層于被顯露的部分該第一晶種層上；及

(b4)移除該第一光阻及被覆蓋的部分該第一晶種層，該第一電鍍層及部分該第一晶種層形成該第一金屬層。

10.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(c)包括：

(c1)形成一第三金屬層于該第一下電極上，并對該第三金屬層進行陽極氧化，以形成一第一氧化層；

(c2)形成一第四金屬層于該第一氧化層上；

(c3)形成一第二光阻于該第四金屬層上；

(c4)移除部分該第一氧化層及部分該第四金屬層，以分別形成該第一介電層及該第一上電極，同時形成該第一電容；及

(c5)移除該第二光阻。

11.如權(quán)利要求1的方法，其中該步驟(e)包括：

(e1)形成一第二晶種層于該第一保護層上；

(e2)形成一第三光阻于該第二晶種層上，以覆蓋部分該第二晶種層，且顯露部分該第二晶種層；

(e3)形成一第二電鍍層于被顯露的部分該第二晶種層上；及

(e4)移除該第三光阻及被覆蓋的部分該第二晶種層，該第二電鍍層及部分該第二晶種層形成該第二金屬層。