[發明專利]綠色晶體管

有效

• 申請號: 201010118815.1
• 申請日: 2010-03-05
• 公開（公告）號: CN102194860A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 季明華;三重野文健;肖德元
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/735;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種綠色晶體管，其特征在于，所述綠色晶體管為橫向擴散型晶體管，包括：

半導體襯底；形成于半導體襯底內且與其摻雜類型相反的漂移區；

形成于漂移區表面的柵極；

形成于柵極兩側漂移區內的源極以及漏極，所述源極部分位于柵極一側下方；

還包括口袋注入區，位于柵極底部源極一側，且與源極具有重疊區域；

所述口袋注入區的摻雜類型與漏極以及漂移區相同，且與源極相反。

2.如權利要求1所述的綠色晶體管，其特征在于，所述漂移區的摻雜濃度小于漏極以及口袋注入區。

3.如權利要求1所述的綠色晶體管，其特征在于，所述漏極遠離于柵極而不被柵極所覆蓋。

4.如權利要求1所述的綠色晶體管，其特征在于，所述源極延伸至口袋注入區底部，被柵極部分覆蓋。

5.一種綠色晶體管，其特征在于，所述綠色晶體管為垂直擴散型晶體管，包括：

半導體襯底；形成于半導體襯底內且與其摻雜類型相反的漂移區；

形成于漂移區表面的柵極；

所述源極位于柵極任意一側的漂移區內，且部分位于柵極下方；

所述漏極位于漂移區底部且與之連接；

還包括口袋注入區，位于柵極底部源極一側，且與源極具有重疊區域；

所述口袋注入區與源極具有重疊區域；所述口袋注入區的摻雜類型與漏極以及漂移區相同，且與源極相反。

6.如權利要求5所述的綠色晶體管，其特征在于，所述漂移區的摻雜濃度小于口袋注入區。

7.如權利要求5所述的綠色晶體管，其特征在于，所述源極延伸至口袋注入區底部，被柵極部分覆蓋。

8.如權利要求5所述的綠色晶體管，其特征在于，還包括接觸阱，將所述漏極延伸至半導體襯底的表面，且所述接觸阱的側面絕緣隔離。

9.如權利要求8所述的綠色晶體管，其特征在于，所述接觸阱的摻雜濃度大于漂移區。

10.一種綠色晶體管，其特征在于，所述綠色晶體管為超結功率晶體管，包括：

半導體襯底；形成于半導體襯底內且與其摻雜類型相反的漂移區；

形成于漂移區表面的至少一個柵極；

所述源極位于柵極至少一側的漂移區內，且部分位于柵極下方；

所述漏極位于漂移區底部且與之連接；

還包括口袋注入區，位于柵極底部源極一側，且與源極具有重疊區域；

在所述漂移區內，位于源極以及漏極之間還形成有超結結構；

所述口袋注入區的摻雜類型與漏極以及漂移區相同，且與源極相反。

11.如權利要求10所述的綠色晶體管，其特征在于，所述漂移區的摻雜濃度小于口袋注入區。

12.如權利要求10所述的綠色晶體管，其特征在于，所述源極延伸至口袋注入區底部，被柵極部分覆蓋。

13.如權利要求10所述的綠色晶體管，其特征在于，位于相鄰柵極之間漂移區內的所述源極延伸連結。

14.如權利要求10所述的綠色晶體管，其特征在于，還包括接觸阱，將所述漏極延伸至半導體襯底的表面，且所述接觸阱的側面絕緣隔離。

15.如權利要求14所述的綠色晶體管，其特征在于，所述接觸阱的摻雜濃度大于漂移區。

16.如權利要求10所述的綠色晶體管，其特征在于，所述超結結構包括橫向間隔設置的P柱以及N柱。

17.如權利要求16所述的綠色晶體管，其特征在于，當漂移區的摻雜類型為N型時，所述P柱以及N柱在垂直界面上分別對準源極以及柵極；當漂移區的摻雜類型為P型時，則所述P柱以及N柱在垂直界面上分別對準柵極以及源極。