[發明專利]光刻設備、控制該設備的方法及器件制造方法

有效

• 申請號: 201010118075.1
• 申請日: 2010-02-10
• 公開（公告）號: CN101840158A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: M·K·斯達文卡;N·R·凱姆普;M·H·A·里恩德爾斯;P·M·M·里布萊格特斯;J·C·H·繆爾肯斯;E·H·E·C·尤米倫;R·莫爾曼;M·瑞鵬;S·舒勒普伍;G-J·G·J·T·布朗德斯;K·斯蒂芬斯;J·W·克洛姆威吉克;R·J·梅杰爾斯;F·伊凡吉里斯塔;D·貝山姆斯;李華;M·喬詹姆森;P·L·J·崗特爾;F·W·貝爾;E·威特伯格;M·A·J·斯米特斯;馬振華
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王新華

1.一種浸沒式光刻設備，包括：

襯底臺，該襯底臺被配置以支撐襯底；

投影系統，該投影系統被配置以將圖案化的輻射束引導到襯底上；

液體處理系統，該液體處理系統被配置以將浸沒液體供給和限制到投影系統與襯底或襯底臺或上述兩者之間限定的空間中；

控制器，該控制器在所述襯底和/或襯底臺的預定區域在所述液體處理系統下面時，用于在襯底和/或襯底臺相對于所述液體處理系統的運動期間調整所述設備的至少一個操作條件。

2.根據權利要求1所述的浸沒式光刻設備，其中，所述控制器被配置以在至少部分在第一預定區域中的管芯的成像運動期間調整所述設備的至少一個操作條件，或在至少部分在第二預定區域中的相鄰管芯之間的步進運動期間調整所述設備的至少一個操作條件，或上述兩者。

3.根據權利要求2所述的浸沒式光刻設備，其中，所述第一預定區域和/或第二預定區域位于所述襯底的邊緣處或其附近。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述預定區域由橢圓來限定，期望地至少由兩個橢圓來限定。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述至少一個操作條件是從一組條件中選擇出的一個或更多個，該組包括：

在所述襯底或所述襯底臺或上述兩者與所述液體處理系統或所述投影系統或上述兩者之間的運動的相對速度，

所述液體處理系統的底表面與所述襯底或所述襯底臺或上述兩者的頂表面之間的距離，

被供給到所述空間的浸沒流體的流速，

用于抽取浸沒液體的負壓源的水平，

在所述液體處理系統的氣刀中所使用的氣體流速，

所述液體處理系統的較低的表面相對于所述襯底的表面的角度，

從所述液體處理系統的下表面中的開口流出的液體的流體流速，

依賴于開口相對于所述運動方向的角位置進入開口或流出開口的流體流速的變化，或

在掃描成像運動開始或結束時所述液體處理系統相對于所述襯底的位置與在隨后的掃描成像運動之前在所述液體處理系統相對于所述襯底的掃描成像運動的方向上的最遠位置之間的距離上的變化。

6.根據權利要求1或權利要求2所述的浸沒式光刻設備，其中，所述至少一個操作條件包括所述液體處理系統的至少一個操作條件。

7.根據權利要求6所述的浸沒式光刻設備，其中，所述液體處理系統的至少一個操作條件是從一組條件中選擇出的一個或更多個，所述組包括：

通過所述液體處理系統的開口的流體流速，

所述液體處理系統相對于所述投影系統和/或襯底和/或襯底臺的方向，或

所述液體處理系統相對于所述投影系統和/或襯底和/或襯底臺之間的距離。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述至少一個操作條件包括定位系統的至少一個操作條件，該定位系統被配置以相對于所述液體處理系統或所述投影系統或上述兩者定位襯底或所述襯底臺或上述兩者。

9.根據權利要求8所述的浸沒式光刻設備，其中，所述定位系統的至少一個操作條件是從一組條件中選擇出的一個或更多個，該組包括：

所述襯底或所述襯底臺或上述兩者與所述液體處理結構或所述投影系統或上述兩者之間的運動的相對速度，

所述液體處理系統的較低表面相對于所述襯底的所述表面的角度，或

所述液體處理系統的底表面與所述襯底或所述襯底臺或上述兩者的頂表面之間的距離。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述控制器被配置用于只有在滿足另外的條件時才調整所述至少一個操作條件。