[發明專利]一種疊層太陽能電池及其制造方法無效
| 申請號: | 201010117844.6 | 申請日: | 2010-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN101969076A | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發明(設計)人: | 麥耀華;李宏;林清耿;王輝;陳琳 | 申請(專利權)人: | 保定天威集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/20 |
| 代理公司: | 唐山順誠專利事務所 13106 | 代理人: | 于文順 |
| 地址: | 071051 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種疊層太陽能電池,其特征在于包括襯底、底電池、頂電池、透明導電減反膜和金屬柵電極,底電池、頂電池、透明導電減反膜(8)和金屬柵電極(9)依次設置于襯底(1)上,所述底電池為薄膜多晶硅異質結電池,由依次沉積于襯底(1)上的N+型重摻雜硅薄膜(2)、?N型多晶硅薄膜(3)和第一P型非晶硅薄膜(4)構成;所述頂電池為非晶硅P-I-N結電池,由依次沉積于底電池上的N型非晶硅薄膜(5)、?非晶硅本征吸收層(6)?和?第二P型非晶硅薄膜(7)組成。
2.根據權利要求1所述之疊層太陽能電池,其特征在于構成中還包括設置于襯底(1)與底電池之間的絨面背反射電極,所述絨面背反射電極由依次沉積于襯底(1)上的金屬層(10)和透明導電薄膜(11)組成,透明導電薄膜(11)上沉積底電池的N+型重摻雜硅薄膜(2)。?
3.根據權利要求1或2所述之疊層太陽能電池,其特征在于所述N+型重摻雜硅薄膜厚度在幾nm到幾十nm之間;N型多晶硅薄膜(3)的厚度為2mm~30mm,晶粒尺寸為1mm~1mm。?
4.根據權利要求3所述之疊層太陽能電池,其特征在于所述第一P型非晶硅薄膜(4)的厚度為10~90nm。?
5.一種疊層太陽能電池的制造方法,其特征在于包含如下步驟:
A、在襯底上濺射金屬層;
B、沉積透明導電薄膜;
C、采用PECVD(等離子體增強化學氣相沉積法)沉積N+型重摻雜硅薄膜;
D、采用PECVD方法沉積N型非晶硅薄膜,然后采用高溫退火、激光晶化方式使非晶硅薄膜完全晶化;
E、采用PECVD沉積第一P型非晶硅薄膜,形成非晶/多晶硅異質結底電池;
F、采用PECVD沉積N型非晶硅薄膜;
G、采用PECVD沉積非晶硅本征吸收層;
H、采用PECVD沉積第二P型非晶硅薄膜;
I、沉積透明導電減反膜;
J、制備金屬柵電極。?
6.根據權利要求5所述之疊層太陽能電池的制造方法,其特征在于更具體的步驟是:
A、在不銹鋼、陶瓷或玻璃襯底(1)上濺射AG或AL金屬層(10);
B、采用磁控濺射或低壓化學氣相沉積方法沉積透明導電薄膜(11);
C、采用PECVD沉積N+型重摻雜硅薄膜(2);?????
D、采用PECVD方法沉積N型非晶硅薄膜(3),然后采用高溫退火、激光晶化等方式使非晶硅薄膜完全晶化;
E、采用PECVD沉積第一P型非晶硅薄膜(4),形成非晶/多晶硅異質結底電池;
F、采用PECVD沉積N型非晶硅薄膜(5);
G、采用PECVD沉積非晶硅本征吸收層(6);
H、采用PECVD沉積第二P型非晶硅薄膜(7);
I、采用磁控濺射或低壓化學氣相沉積方法沉積(ZnO)透明導電減反膜(8);
J、采用絲網印刷的方法制備金屬柵電極(9)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





