[發(fā)明專利]微陣列用基底、微陣列制法及從微陣列獲得光數(shù)據(jù)的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010117596.5
• 申請(qǐng)日: 2010-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN101799422A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李圭祥;孫大淳;樸卿希;安兌臻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G01N21/76
• 分類號(hào): G01N21/76
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.用于制造微陣列的基底，該基底包括：

設(shè)置于所述基底上的第一基準(zhǔn)標(biāo)記；和

設(shè)置于所述基底上的探針固定區(qū)域，

其中所述第一基準(zhǔn)標(biāo)記的表面是疏水的并且探針固定化合物固定于所述探針固定區(qū)域上。

2.權(quán)利要求1的基底，其中所述第一基準(zhǔn)標(biāo)記包括所述基底的從其除去氧化物層的區(qū)域。

3.權(quán)利要求2的基底，其中所述基底的從其除去氧化物層的區(qū)域包括所述基底的表面和覆蓋有疏水材料的所述基底的表面之一。

4.權(quán)利要求1的基底，進(jìn)一步包括第二基準(zhǔn)標(biāo)記。

5.權(quán)利要求4的基底，其中所述第二基準(zhǔn)標(biāo)記包括形成于所述基底表面上的至少兩個(gè)柱子。

6.權(quán)利要求4的基底，其中所述第二基準(zhǔn)標(biāo)記包括固定在所述基底表面上的與靶物質(zhì)強(qiáng)烈地相互作用的材料。

7.微陣列，包括：

設(shè)置于基底上的第一基準(zhǔn)標(biāo)記；和

所述基底的其上固定探針材料的區(qū)域，

其中所述第一基準(zhǔn)標(biāo)記的表面是疏水的。

8.權(quán)利要求7的微陣列，其中所述第一基準(zhǔn)標(biāo)記包括所述基底的從其除去氧化物層的區(qū)域。

9.權(quán)利要求8的微陣列，其中所述基底的從其除去氧化物層的區(qū)域包括所述基底的表面和覆蓋有疏水材料的所述基底的表面之一。

10.權(quán)利要求7的微陣列，進(jìn)一步包括第二基準(zhǔn)標(biāo)記。

11.權(quán)利要求10的微陣列，其中所述第二基準(zhǔn)標(biāo)記包括形成于所述基底表面上的至少兩個(gè)柱子。

12.權(quán)利要求10的微陣列，其中所述第二基準(zhǔn)標(biāo)記包括與靶物質(zhì)強(qiáng)烈地相互作用并固定在所述基底表面上的材料。

13.權(quán)利要求11的微陣列，其中所述至少兩個(gè)柱子的相鄰柱子隔開約0.1μm～約1000μm的間隔，和各柱子的橫截面的尺寸為約0.1μm～約1000μm。

14.制造用于微陣列的基底的方法，該方法包括：

提供其上形成氧化物層的基底，其中所述基底具有疏水表面；

在所述氧化物層上涂覆光刻膠以形成光刻膠層；

通過掩模將光照射到所述光刻膠層上；

將所述光刻膠層顯影和蝕刻所述氧化物層的未被所述光刻膠層保護(hù)的一部分以使所述基底的表面暴露；和

將探針固定化合物固定在所述基底的不包括所述疏水表面的部分上。

15.權(quán)利要求14的方法，其中所述蝕刻包括使用疏水材料的干法蝕刻過程。

16.制造探針微陣列的方法，該方法包括：

提供其上設(shè)置氧化物層的基底，其中所述基底具有疏水表面；

在所述氧化物層上涂覆光刻膠以形成光刻膠層；

通過掩模將光照射到所述光刻膠層上；

將所述光刻膠層顯影和蝕刻所述氧化物層的未被所述光刻膠層保護(hù)的一部分以使所述基底的表面暴露；

將探針固定化合物固定在所述基底的不包括所述疏水表面的部分上；和

將探針材料固定在所述基底的其上固定所述探針固定化合物的部分上的多個(gè)確定區(qū)域上。

17.制造用于微陣列的基底的方法，該方法包括：

提供其上設(shè)置氧化物層的基底；

在所述氧化物層上涂覆光刻膠以形成光刻膠層；

通過掩模將光照射到所述光刻膠層上；

將所述光刻膠層顯影和蝕刻所述氧化物層的未被所述光刻膠層保護(hù)的一部分以使所述基底的表面暴露，其中所述蝕刻包括使用疏水材料的干法蝕刻過程；和

將探針固定化合物固定在所述基底的不包括疏水表面的部分上。

18.權(quán)利要求17的方法，其中所述疏水材料包括碳氟化合物。