[發明專利]晶片加工用薄膜

有效

• 申請號: 201010117459.1
• 申請日: 2010-02-20
• 公開（公告）號: CN101814432A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 野村芳弘;丸山弘光;木村和寬;盛島泰正;石渡伸一
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/68
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李貴亮

技術領域

本發明涉及在半導體晶片的切割工序和用于使被切割的芯片附著于 導線框或其他芯片的管芯焊接工序的兩個工序中使用、在切割·管芯焊接 工序中使用的切割·管芯焊接薄膜，尤其涉及在長條狀的脫模薄膜上，將 切割·管芯焊接薄膜連續層疊多個的晶片加工用薄膜。

背景技術

在IC等半導體制造裝置的制造工序中，實施在形成有回路圖案的半 導體晶片的背面貼附切割·管芯焊接薄膜后，將半導體晶片以芯片單位切 斷(切割)的工序、將切斷的芯片拾取(pick?up)的工序、以及將拾取的 芯片粘接于導線框或封裝件基板等或在堆積封裝件基板等中，層疊粘接半 導體晶片之間的管芯焊接(搭載)工序。

作為在這樣的半導體制造裝置的制造工序中使用的切割·管芯焊接薄 膜，提出有在作為支撐基材的薄膜上依次層疊粘接劑層、和熱固化性的粘 接薄膜的切割·管芯焊接薄膜、或作為粘著劑層，使用同時具有作為粘接 劑的功能和作為粘接劑的功能的粘接粘著材料層，在作為支撐基材的薄膜 上僅層疊粘接粘著材料層的切割·管芯焊接薄膜。

這樣的切割·管芯焊接薄膜進而作為在連續的長條狀的脫模薄膜上能 夠剝離地層疊，以輥狀卷繞的狀態的“半導體加工用薄膜”提供。切割·管 芯焊接薄膜考慮切割工序中的向導線框的安裝等作業性，預切割加工為與 導線框的形狀一致的形狀的狀態下層疊于脫模薄膜上。

圖6中示出以往的晶片加工用薄膜的一例。圖6(a)是表示從卷入輥 少量引出以往的晶片加工用薄膜100的狀態的立體圖，圖6(b)是圖6(a) 的x-x’方向的剖面圖。剖面圖中強調薄膜的厚度方向而描繪。

如圖6(a)所示，連續的長的晶片加工用薄膜100作為卷附于輥芯 110的狀態的制品提供。在晶片加工用薄膜100中，在作為基底基材的長 的脫模薄膜101的中央部分，對應于晶片，預切割為大致圓形的多個粘接 劑層102隔著間隔連續地配置，從其上方覆蓋粘接劑層102地層疊粘著性 薄膜103(參照圖6(b))。粘著性薄膜103在作為支撐基材的薄膜的背面 具有粘著劑層，與環框的形狀一致地預切割為圓形狀。粘著性薄膜103被 預切割，大致分為覆蓋粘接劑層102的標記部103a、和覆蓋長條的脫模薄 膜101的兩緣部的周邊部103b。

在粘著性薄膜103的預切割中，從垂直方向使用預切割用刃，切割粘 著性薄膜103，因此，以直角的角度將標記部103a的外周103c、和周邊 部的外周切割至脫模薄膜101，在外周部分形成直角的邊緣。

這樣形成的晶片加工用薄膜100如圖6(b)所示，在脫模薄膜101 上層疊粘接材料層102和標記部103a的部分為三層結構，在脫模薄膜101 上僅層疊粘著性薄膜103的部分為兩層，只有剩余的脫模薄膜101部分成 為一層的結構。從而，在晶片加工用薄膜100中，中央的三層結構的部分 最厚。因此，晶片加工用薄膜100卷繞為輥狀的情況下，三層結構部分的 厚度重合，只有該部分中，卷入輥的直徑變大，應力集中于中央部分。由 此，在包括厚且比較柔軟的材料的粘接劑層102的表面發生如圖6(a)及 圖6(c)所示的轉印痕104(還稱為標記痕、皺紋、或卷繞痕跡)。

若在粘接材料層102產生轉印痕104，則在粘接材料層102的表面的 平滑性上產生缺陷。這樣的缺陷在將粘接材料層102貼附于半導體晶片時， 在半導體晶片和粘接粘著材料層之間卷入空氣，可能導致在半導體裝置的 組裝時發生不妥善情況。

為了抑制上述轉印痕的發生，考慮減弱薄膜的卷繞壓力，但在該方法 中，發生制品的卷繞偏移，例如，可能導致帶搭載機(テ一プマウンタ一) 的設置變得困難等在薄膜的實際使用時帶來故障。

另外，為了防止這樣的轉印痕104的發生，在專利文獻1中，公開了 在剝離基材上的粘接劑層及粘著性薄膜的外方設置有具有與粘接劑層及 粘著性薄膜的總計的膜厚相等或其以上的膜厚的支撐層的粘接片。專利文 獻1的粘接片通過具備支撐層，將施加于粘接片的卷繞的壓力分散或集中 于支撐層，從而抑制轉印痕的發生。

【專利文獻1】特開2007-2173號公報