[發明專利]n型氧化鋅/p型金剛石異質結隧道二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201010117449.8
• 申請日: 2010-03-04
• 公開（公告）號: CN101807606A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 李紅東;桑丹丹;呂憲義
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L29/88
• 分類號: H01L29/88;H01L21/34;H01L29/267
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 王恩遠

1.一種n型氧化鋅/p型金剛石異質結隧道二極管，所述的p型金剛石(1)是硼摻雜的多晶金剛石膜或硼摻雜的金剛石單晶，其特征在于，所述的n型氧化鋅(2)是氧化鋅納米棒、納米線或納米管陣列結構，豎直生長在p型金剛石(1)上；導電玻璃(3)的導電面與氧化鋅納米結構接觸作為導電陰極，p型金剛石(1)作為導電陽極；用電極銀漿(4)在導電陰極和導電陽極上分別連接銅導線。

2.一種權利要求1的n型氧化鋅/p型金剛石異質結隧道二極管的制作方法，按下述步驟進行，

第1步，生長p型金剛石(1)：使用微波等離子體CVD方法、熱燈絲CVD方法、直流熱陰極CVD方法或直流噴射CVD方法；使用硼烷或硼酸三甲酯作硼源；對于CVD多晶金剛石膜，使用硅為襯底，對于CVD金剛石單晶，使用天然金剛石單晶、高溫高壓人造金剛石單晶或CVD金剛石單晶作襯底；

第2步，在p型金剛石(1)上生長n型氧化鋅(2)納米結構：將質量比1∶1的蒸發源ZnO和鋁粉或石墨粉還原劑的混合物放入石英管，p型金剛石(1)放置在石英管內蒸發源的下游；將石英管放置于管式爐加熱區，使蒸發源位于850～1100℃處，p型金剛石(1)位于500～700℃處，在常壓或10^-4～10^-5Pa氣壓或通入Ar氣100～400sccm條件下反應10～60分鐘，將石英管取出；p型金剛石(1)上生長有一層白灰色的氧化鋅納米棒、納米線或納米管陣列結構；

第3步，制作電極：將導電玻璃(3)的導電面向下壓在n型氧化鋅(2)納米棒、納米線或納米管陣列上作為導電陰極，p型金剛石(1)做陽極，使用電極銀漿(4)連接銅導線，做歐姆電極。