[發(fā)明專利]晶片清洗方法與清洗裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010117015.8
• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN102148131A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 簡金城;吳俊元
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;B08B3/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種晶片清洗方法，尤其是涉及一種能夠維持晶片表面均勻度的清洗方法。

背景技術(shù)

半導體裝置是由半導體晶片經(jīng)歷數(shù)個處理操作而制得。這些操作包含有諸如摻質(zhì)注入、柵極氧化物產(chǎn)生、層間介電層形成、金屬化沉積、線路圖案化、蝕刻操作、化學機械化研磨(CMP)等等。通常在化學機械化研磨、蝕刻、或光致抗蝕劑顯影之后，晶片表面會有殘留物余留，如化學液體成分或是化學聚合物，因此，為了保持晶片表面的清潔，需要適當?shù)貙┯柘磧籼幚怼Ｍǔ＠靡后w噴灑裝置，使用一沖洗液體，如特定的清洗液或是去離子水進行沖洗處理的程序，以移除停留在晶片上的化學液體成分或是化學聚合物，并且經(jīng)由旋轉(zhuǎn)將晶片表面的殘留物和沖洗液體甩離晶片表面。在沖洗處理時，除了表面的殘留物會被被移除之外，晶片表面的材料層也會少量被沖洗液體去除。

現(xiàn)有晶片清洗裝置包含有一殼體內(nèi)含液體噴灑設(shè)備，一液體供給系統(tǒng)內(nèi)含多個輸送線以及設(shè)于其下側(cè)的多個噴嘴，一驅(qū)動裝置用來帶動噴灑運動。然而，因為在旋轉(zhuǎn)時，晶片上離圓心不同距離的區(qū)域，其切線速度不相同，因而造成不同區(qū)域曝露在沖洗液體的時間不同，例如，晶片邊緣的切線速度較晶片圓心的切線速度大，因此在晶片邊緣的沖洗液體會較快被甩離晶片表面，而在晶片圓心的沖洗液體會停留較久。如此，則會造成在晶片不同位置的表面的殘留物和表面的材料層被沖洗液體移除的程度不一，使得晶片表面的均勻度不佳。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供了新穎的清洗方法及清洗裝置來解決上述問題。

根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，一種晶片清洗方法，首先提供一平臺，用以承載并旋轉(zhuǎn)一晶片，其中晶片具有一待洗表面，一噴嘴設(shè)于晶片的上方，用于噴灑一清洗液于待洗表面，然后進行一清洗步驟，旋轉(zhuǎn)晶片，并且非等速移動噴嘴由待洗表面上的一第一給定點至一第二給定點，使得第一給定點曝露在清洗液的時間與第二給定點曝露在清洗液的時間相同。值得注意的是：噴嘴在靠近晶片邊緣時移動較慢，靠近晶片圓心時移動較快。

根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例，一種晶片清洗方法，首先提供一平臺，用以承載并旋轉(zhuǎn)一晶片，其中晶片具有一待洗表面，一第一噴嘴設(shè)于晶片的上方，用于噴灑一清洗液于該待洗表面，接著，進行一清洗步驟，旋轉(zhuǎn)該晶片，并且以第一噴嘴噴灑清洗液在待洗表面上的一第一給定點和一第二給定點，其中當該第一噴嘴由該第一給定點移至該第二給定點時該清洗液的流速為非等流速，使得第一給定點曝露在該清洗液的時間與第二給定點曝露在該清洗液的時間相同。值得注意的是：第一噴嘴可在待洗表面往返移動，而當?shù)谝粐娮煸诳拷吘墪r其清洗液的流速較快，靠近晶片圓心時其清洗液的流速較慢。另外，可增加一第二噴嘴設(shè)置于第一噴嘴旁，此時第二噴嘴噴灑出的清洗液的流速可為固定或為非等流速。

根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例，一種晶片清洗裝置，包含：一平臺，用以承載一晶片，晶片具有一待洗表面包含一第一給定點和一第二給定點；一第一噴嘴設(shè)于晶片的上方，距離晶片的中心較遠處，用于噴灑一清洗液于待洗表面；以及一第二噴嘴設(shè)于晶片的上方，距離晶片的中心較近處，用于噴灑清洗液于待洗表面，其中由第一噴嘴噴灑的清洗液的流速和由第二噴嘴噴灑的清洗液的流速相異，以使得第一給定點曝露在清洗液的時間與第二給定點曝露在該清洗液的時間相同。

為了使晶片表面的均勻度增加，本發(fā)明利用非等速移動噴嘴，使得噴嘴在靠近晶片邊緣移動較慢，而靠近晶片圓心移動較快，如此，可使得各點曝露在清洗液中的時間相同。此外，本發(fā)明另控制由噴嘴噴出的清洗液的流速，使在不同晶片半徑位置的噴嘴噴出的清洗液的流速不同，來達成使得各點曝露在清洗液中的時間相同的目的。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的第一較佳實施例的晶片清洗方法示意圖；

圖2為本發(fā)明的第一較佳實施例的噴嘴的移動速率VS噴嘴位置的折線圖；

圖3為本發(fā)明的第二較佳實施例的晶片清洗方法示意圖；

圖4為本發(fā)明的第二較佳實施例的噴嘴的移動速度VS噴嘴位置的折線圖；

圖5為本發(fā)明的第二較佳實施例的噴嘴的停留時間VS噴嘴位置的折線圖；

圖6為本發(fā)明的第三較佳實施例的清洗液流速VS噴嘴位置的折線圖；

圖7為本發(fā)明的第四較佳實施例的晶片清洗方法和清洗方法裝置。

主要元件符號說明

10????????平臺????????????12????????晶片

14????????待洗表面????????16、17????噴嘴

18、19????清洗液??????????20????????控制臂