[發(fā)明專利]基于應(yīng)變硅技術(shù)的P溝VDMOS器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010116769.1
• 申請日: 2010-03-02
• 公開（公告）號: CN101789448A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉道廣;萬欣;嚴(yán)利人;鄭君
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 史雙元

1.一種基于應(yīng)變硅技術(shù)的P溝VDMOS晶體管，其特征在于，在器件制造過程中增加一層應(yīng)變層，該應(yīng)變層位于外延硅層與柵氧化層之間，在p型溝道區(qū)上表面生長一層應(yīng)變層，使形成的p型溝道區(qū)產(chǎn)生應(yīng)變。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于應(yīng)變硅的p溝VDMOS晶體管器件，其特征在于，所述應(yīng)變層采用SiGe和Si生長得到。