[發(fā)明專利]非真空制作銅銦鎵硒漿料的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010116752.6 | 申請(qǐng)日： | 2010-03-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102194917A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳文仁 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 正峰新能源股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京華夏博通專利事務(wù)所 11264 | 代理人： | 劉俊 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 真空 制作 銅銦鎵硒 漿料 方法 | ||
1.一種非真空制作銅銦鎵硒漿料的方法，用以在非真空下不需界面活性劑及接著劑而制作一銅銦鎵硒漿料及一銅銦鎵硒(硫)漿料的其中之一，該銅銦鎵硒漿料及該銅銦鎵硒(硫)漿料用以涂布在一鉬層上而形成一吸收層，其特征在于，該方法包括：
首先，依據(jù)一配方比例，混合具不同的平均粒徑且含IB、IIIA及VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末，以形成一原始混合粉末，且該IB族元素包括銅，該IIIA族元素包括銦或鎵或銦鎵混合材料，該VIA族元素包括硒或硫或硒硫混合材料；
以一第一VIA族元素比例，再添加額外的VIA族元素粉末至該原始混合粉末中，并進(jìn)行混合以形成一最后混合粉末；以及
最后，添加溶劑至該最后混合粉末中并進(jìn)行攪拌，藉以形成含有IB、IIIA及VIA族元素的一漿料，且該漿料為該銅銦鎵硒漿料及該銅銦鎵硒(硫)漿料的其中之一。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該配方比例包括該IB、IIIA及VIA族元素的摩爾比例等于1.0∶1.0∶2.0。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該平均粒徑至少包括一第一平均粒徑及一第二平均粒徑，且該第二平均粒徑為該第一平均粒徑的30％以下。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一VIA族元素比例包括該IB、IIIA及VIA族元素的摩爾比例等于1.0∶1.0∶X，其中X為2.0至4.0之間。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該額外的VIA族元素粉末包括硒或硫或硒硫混合材料的至少其中之一。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該溶劑包括去離子水、醇類、酮類或混合所述二種以上溶劑的至少其中之一。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
