[發(fā)明專利]一種后蓋和后蓋的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010116660.8 | 申請日: | 2010-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN101866583A | 公開(公告)日: | 2010-10-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 曹緒文;楊學宇;何基強 | 申請(專利權(quán))人: | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號: | G09F9/33 | 分類號: | G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明;王寶筠 |
| 地址: | 516600 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制造 方法 | ||
1.一種后蓋,其特征在于,所述后蓋面向基板的一面形成有與基板上的像素顯示區(qū)矩陣對應的發(fā)光區(qū),所述后蓋在所述發(fā)光區(qū)外圍還包括包圍所述發(fā)光區(qū)的至少一圈連續(xù)的凸起。
2.如權(quán)利要求1所述的后蓋,其特征在于,所述后蓋在所述發(fā)光區(qū)和所述凸起之間還形成有凹槽。
3.如權(quán)利要求2所述的后蓋,其特征在于,所述凹槽呈連續(xù)或離散分布。
4.如權(quán)利要求2所述的后蓋,其特征在于,所述凹槽的深度不大于后蓋玻璃厚度的一半。
5.如權(quán)利要求4所述的后蓋,其特征在于,所述凹槽的深度為0.1~0.4mm,寬度為0.1~10mm。
6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的后蓋,其特征在于,所述凸起的高度為5~100μm,寬度為5~200μm。
7.如權(quán)利要求1-5任一項所述的后蓋,其特征在于,所述凸起的截面呈倒梯形。
8.一種后蓋的制造方法,其特征在于,包括:
在后蓋玻璃面向基板的一面形成第一圖案;
按照所述第一圖案在后蓋玻璃上形成與基板上的像素顯示區(qū)矩陣對應的發(fā)光區(qū),和在所述發(fā)光區(qū)外圍的、包圍所述發(fā)光區(qū)的至少一圈連續(xù)的凸起;
去除后蓋玻璃上的所述第一圖案。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述在后蓋玻璃上形成第一圖案具體為:在所述后蓋玻璃面向基板的一面旋涂光刻膠,曝光顯影形成所述第一圖案。
10.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述在后蓋玻璃上形成第一圖案具體為:在所述后蓋玻璃面向基板的一面粘貼保護膠帶,利用激光雕刻出所述第一圖案。
11.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述在后蓋玻璃上形成第一圖案具體為:在所述后蓋玻璃面向基板的一面通過絲網(wǎng)印刷油墨形成所述第一圖案。
12.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述在后蓋玻璃上形成凸起具體為:
將兩片后蓋玻璃未形成第一圖案的一面相互貼合并封閉四周,浸入含有氟離子的酸性溶液中刻蝕形成所述凸起。
13.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述在后蓋玻璃上形成凸起具體為:
對所述后蓋玻璃帶有第一圖案的一面噴砂形成所述凸起。
14.如權(quán)利要求8-13任一項所述的方法,其特征在于,在所述后蓋玻璃形成第一圖案前或形成所述凸起后,所述方法還包括:形成位于所述發(fā)光區(qū)和所述凸起之間的凹槽。
15.如權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,所述凹槽的形成過程包括:
在所述后蓋玻璃面向基板的一面形成第二圖案;
按照所述第二圖案在后蓋玻璃上形成所述凹槽;
去除后蓋玻璃上的所述第二圖案。
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