[發明專利]半導體發光組件封裝結構無效
| 申請號: | 201010116622.2 | 申請日: | 2010-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN102194960A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 簡克偉 | 申請(專利權)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/60;H01L51/50;H01L51/52;H01S5/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 發光 組件 封裝 結構 | ||
1.一種半導體發光組件封裝結構,包含至少一用來發出至少一第一波長光線的半導體發光組件、一與該半導體發光組件電性連接的導線架及一反射結構,其特征在于:所述反射結構具有一圍繞該半導體發光組件的反射面,該反射面具有復數個納米反射結構。
2.根據權利要求1所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:所述復數個納米反射結構其中相鄰的兩個之間的間距小于可見光波長的1/2。
3.根據權利要求2所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:所述復數個納米反射結構其中相鄰的兩個之間的間距的范圍大約為90~130納米(nm)。
4.根據權利要求2或3所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:所述復數個納米反射結構其中相鄰的兩個具有一相對深度,該相對深度與間距的比值大于或等于2。
5.根據權利要求1至3任一項所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:所述復數個納米反射結構之剖面結構為下列至少一種形狀或其組合:梯形、倒梯形、橢圓形、半圓形、矩形、金字塔形、倒金字塔型或其它不規則等形狀。
6.根據權利要求1至3任一項所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:所述復數個納米反射結構為金屬的材質。
7.根據權利要求1至3任一項所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:所述反射結構為下列至少一材質所構成:塑料(plastic)、陶瓷(ceramic)、硅(silicon)或金屬(metal)。
8.根據權利要求1至3任一項所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:所述復數個納米反射結構的折射率大于該反射結構的折射率。
9.根據權利要求1至3任一項所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:還包含一覆蓋層,該覆蓋層包覆所述半導體發光組件以及所述導線架的一部份,并且該覆蓋層包含可透光的材質。
10.根據權利要求9所述的半導體發光組件封裝結構,其特征在于:還包含至少一摻雜于所述覆蓋層中的波長轉換單元,該波長轉換單元受到該第一波長之光線激發后,發出不同于所述第一波長的第二波長之光線。
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