[發(fā)明專利]超薄半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010116257.5 | 申請日： | 2010-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN101789414A | 公開（公告）日： | 2010-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王卓偉;俞國慶;鄒秋紅;王蔚 | 申請（專利權(quán)）人： | 晶方半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215126 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 超薄 半導(dǎo)體 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 工藝 | ||
1.一種超薄半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片(102)和與芯片(102)正面壓合的玻璃基板(101)，所述芯片(102)帶有焊墊，所述焊墊通過線路同芯片(102)電連通；其特征在于所述芯片(102)的背面直接沉積第一絕緣層(105)，所述第一絕緣層(105)的背面沉積第一引線層(106)，第一引線層(106)的背面沉積第二絕緣層(107)，該第二絕緣層(107)上設(shè)有若干開孔，所述第一引線層(106)的部分表面從所述開孔內(nèi)暴露；而所述第二絕緣層(107)的背面沉積第二引線層(108)，該第二引線層(108)與第一引線層(106)電隔離，并且所述第二引線層(108)的背面與所述第一引線層(106)暴露的表面上共同沉積有保護層(109)；所述第一引線層(106)暴露的表面上設(shè)有若干第一焊接凸起(110)，而第二引線層(108)上則設(shè)有若干第二焊接凸起(112)，這些焊接凸起均從保護層(109)上布有的開孔內(nèi)突出；同時所述焊墊呈雙列式排布于芯片(102)四周，其中位于內(nèi)側(cè)的第一列焊墊(104)通過第一引線層(106)與第一焊接凸起(110)相連，而位于外側(cè)的第二列焊墊(111)則通過第二引線層(108)與第二焊接凸起(112)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一絕緣層(105)和第二絕緣層(107)的厚度均為1～3um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超薄半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一列焊墊(104)與第一引線層(106)之間通過L型連接方式實現(xiàn)電連通，而第二列焊墊(111)與第二引線層(108)之間通過T型連接方式實現(xiàn)電連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超薄半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述玻璃基板(101)上設(shè)有呈閉環(huán)結(jié)構(gòu)的空腔壁(103)，所述芯片(102)的正面與玻璃基板(101)上的空腔壁(103)壓合形成空腔包圍設(shè)于芯片上的感光器件(100)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超薄半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一引線層(106)的中央設(shè)有開孔，第二絕緣層(107)有部分通過該開孔沉積于第一絕緣層(105)表面；同時所述第二引線層(108)的中央也設(shè)有開孔，所述保護層(109)有部分通過該開孔沉積于第二絕緣層(107)的表面。?
6.超薄半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括下述工藝步驟：
1)提供一個包含多個芯片的晶圓，晶圓的正面上設(shè)有焊墊，這些焊墊呈雙列式對應(yīng)排布于每個芯片(102)的四周，并都通過線路與芯片(102)實現(xiàn)電連通；
2)提供一玻璃基板，將所述晶圓的正面與玻璃基板(101)進行壓合；
3)對晶圓背面進行減薄；
4)對晶圓上芯片與芯片之間的切割道區(qū)域進行等離子刻蝕形成溝槽，使得焊墊的部分或全部暴露于晶圓背面；
5)利用等離子體化學(xué)氣相沉積方法在形成溝槽后的整片晶圓背面沉積形成第一絕緣層(105)；
6)在整片晶圓背面涂覆光刻膠，再利用光刻技術(shù)將形成的光刻膠層圖案化，進行等離子體刻蝕，將位于溝槽底部的第一絕緣層(105)去除，再將光刻膠層去除；
7)通過濺射技術(shù)在第一絕緣層(105)的背面沉積金屬，再通過光刻技術(shù)形成僅與第一列焊墊(104)電連通的第一引線層(106)；
8)利用等離子體化學(xué)氣相沉積方法在第一引線層(106)的背面沉積第二絕緣層(107)，并在第二絕緣層(107)的相應(yīng)位置處設(shè)置若干開孔暴露第一引線層(106)的部分表面；
9)在溝槽處進行機械切割，并將第二列焊墊(111)的部分切除；
10)利用濺射技術(shù)在第二絕緣層(107)的背面沉積金屬形成與第二列焊墊(111)電連通的第二引線層(108)，再通過光刻技術(shù)將第一引線層(106)和第二引線層(108)進行電隔離；
11)采用旋涂法或噴涂法在第二引線層(108)的背面和第一引線層(106)暴露的表面上共同沉積保護層(109)，并在保護層(109)上露出開口便于后續(xù)形成焊接凸起；
12)利用鋼板印刷技術(shù)和回流焊技術(shù)分別在第一引線層(106)暴露的表面和第二引線層(108)表面形成若干第一焊接凸起(110)和若干第二焊接凸起(112)；
13)沿切割道進行機械全切，將封裝后的晶圓分離成單顆芯片封裝結(jié)構(gòu)。?
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