[發明專利]基于碳納米管增效的太陽電池制備方法無效
| 申請號： | 201010116107.4 | 申請日： | 2010-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN101794841A | 公開（公告）日： | 2010-08-04 |
| 發明（設計）人： | 張亞非;王艷芳;魏浩 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海交達專利事務所 31201 | 代理人： | 王錫麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 納米 增效 太陽電池 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于碳納米管增效的太陽電池制備方法，其特征在于：在制作好太陽電池PN結后，將碳納米管分散吸附到太陽電池表面。
2.根據權利要求1所述的基于碳納米管增效的太陽電池制備方法，其特征是，所述的太陽電池表面是太陽電池正面鈍化層的上表面或下表面。
3.根據權利要求1所述的基于碳納米管增效的太陽電池制備方法，其特征是，所述分散吸附是指：采用化學修飾法、涂覆法、沉積法或自組裝法將碳納米管分散至太陽電池表面。
4.根據權利要求1所述的基于碳納米管增效的太陽電池制備方法，其特征是，所述的碳納米管在太陽電池表面的分布密度為5-50根/平方微米。
5.根據權利要求1所述的基于碳納米管增效的太陽電池制備方法，其特征是，所述的分布密度是通過碳納米管溶液的濃度進行調控，該碳納米管溶液的密度為0.1～1毫克/毫升。
6.根據權利要求1所述的基于碳納米管增效的太陽電池制備方法，其特征是，所述的太陽電池為單晶硅太陽電池、多晶硅太陽電池、非晶硅薄膜太陽電池或CIGS薄膜太陽電池。
7.根據權利要求6所述的基于碳納米管增效的太陽電池制備方法，其特征是，所述的非晶硅太陽電池及CIGS薄膜太陽電池采用濺射方法制備。
8.根據權利要求1所述的基于碳納米管增效的太陽電池制備方法，其特征是，所述的碳納米管為單壁碳納米管或多壁碳納米管。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
