[發明專利]一種高反膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201010115894.0
• 申請日: 2010-02-25
• 公開（公告）號: CN101806927A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 周明杰;羅英達
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: G02B1/10
• 分類號: G02B1/10;B32B9/04
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 郭偉剛

1.一種高反膜，其特征在于，包括與基底結合的第一高折射率層，以及 設置于所述第一高折射率層上的厚度不等的多層折射率復合層，所述折射率復 合層包括高折射率層和低折射率層，且每個折射率復合層中低折射率層位于高 折射率層下方；

其中，第二折射率復合層至第N折射率復合層從下至上依次設置在所述 第一高折射率層上，且每個折射率復合層中所述高折射率層的厚度為d_iH=λ _i/(4n_H)；所述低折射率層的厚度為d_iL=λ_i/(4n_L)；其中，

λ_i=λ_min+（i-1/2）(λ_max-λ_min)/N；

n_L、n_H分別為低折射率層材質的折射率和高折射率層材質的折射率；

λ_min和λ_max分別為可見光范圍的最小波長和最大波長；

N為可見光波長范圍的均等份數，i=1、2、3……N；λ_i為將高反膜需要 反射的光線的帶寬均分為N份獲得的第一波長段至第N波長段中第i份 （i=1,2,3…N）波長帶寬范圍內的中心波長；

所述N為40，可見光帶寬為λ_min=380nm，λ_max=780nm，則第i份（i=1,2,3… 40）的中心波長為λ_i=380+10（i-1/2）；所述高折射率材料為Ti₃O₅，折射率 n_H=2.2；所述低折射率材料為SiO₂，折射率n_L=1.47；λ_i的1/4各高、低折射 率層厚度為d_iL=λ_i/(5.88),d_iH=λ_i/(8.8)；

基底上依次設置的各高、低折射率層厚度具體為：d_1H=43.8nm；d_2L=67.2 nm；d_2H=44.9nm；d_3L=68.9nm；d_3H=46.0nm；d_4L=70.6nm；d_4H=47.2nm； d_5L=72.3nm；d_5H=48.3nm；d_6L=74nm；d_6H=49.4nm；d_7L=75.7nm；d_7H=50.6 nm；d_8L=77.4nm；d_8H=51.7nm；d_9L=79.1nm；d_9H=52.8nm；d_10L=80.8nm； d_10H=54nm；d_11L=82.5nm；d_11H=55.1nm；d_12L=84.2nm；d_12H=56.3nm； d_13L=85.9nm；d_13H=57.4nm；d_14L=87.6nm；d_14H=58.5nm；d_15L=89.3nm； d_15H=59.7nm；d_16L=91.0nm；d_16H=60.8nm；d_17L=92.7nm；d_17H=61.9nm； d_18L=94.4nm；d_18H=63.1nm；d_19L=96.1nm；d_19H=64.2nm；d_20L=97.8nm； d_20H=65.3nm；d_21L=99.5nm；d_21H=66.5nm；d_22L=101.2nm；d_22H=67.6nm； d_23L=102.9nm；d_23H=68.8nm；d_24L=104.6nm；d_24H=69.9nm；d_25L=106.3nm； d_25H=71.0nm；d_26L=108.0nm；d_26H=72.2nm；d_27L=109.7nm；d_27H=73.3nm； d_28L=111.4nm；d_28H=74.4nm；d_29L=113.1nm；d_29H=75.6nm；d_30L=114.8nm； d_30H=76.7nm；d_31L=116.5nm；d_31H=77.8nm；d_32L=118.2nm；d_32H=79.0nm； d_33L=119.9nm；d_33H=80.1nm；d_34L=121.6nm；d_34H=81.3nm；d_35L=123.3nm； d_35H=82.4nm；d_36L=125.0nm；d_36H=83.5nm；d_37L=126.7nm；d_37H=84.7nm； d_38L=128.4nm；d_38H=85.8nm；d_39L=130.1nm；d_39H=86.9nm；d_40L=131.8nm； d_40H=88.1nm。

2.一種高反膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將高反膜需要反射的光線的帶寬平均分為N份，其中N為不小于2 的正整數，則按照波長從小到大分別為第一波長段至第N波長段；

S2、獲取所述第一波長段至第N波長段中每份波長段的中心波長；

S3、在高反膜最下方設置對應第一波長段中心波長的第一高折射率層以 與基底結合；

S4、在所述第一高折射率層上從下至上依次設置第二折射率復合層至第N 折射率復合層，其中所述第二折射率復合層至第N折射率復合層中每個都包 括該折射率復合層對應的波長段中心波長的高折射率層和低折射率層，且其中 每個折射率復合層中低折射率層設置于高折射率層下方；

且在所述步驟S4中，每個折射率復合層中所述高折射率層的厚度為d_iH= λ_i/(4n_H)；所述低折射率層的厚度為d_iL=λ_i/(4n_L)；其中，

λ_i=λ_min+（i-1/2）(λ_max-λ_min)/N；

n_L、n_H分別為低折射率層材質的折射率和高折射率層材質的折射率；

λ_min和λ_max分別為可見光范圍的最小波長和最大波長；

N為可見光波長范圍的均等份數，i=1、2、3……N；λ_i為將高反膜需要 反射的光線的帶寬均分為N份獲得的第一波長段至第N波長段中第i份 （i=1,2,3…N）波長帶寬范圍內的中心波長；

所述N為40，可見光帶寬為λ_min=380nm，λ_max=780nm，則第i份（i=1,2,3… 40）的中心波長為λ_i=380+10（i-1/2）；所述高折射率材料為Ti₃O₅，折射率 n_H=2.2；所述低折射率材料為SiO₂，折射率n_L=1.47；λ_i的1/4各高、低折射 率層厚度為d_iL=λ_i/(5.88),d_iH=λ_i/(8.8)；

基底上依次設置的各高、低折射率層厚度具體為：d_1H=43.8nm；d_2L=67.2 nm；d_2H=44.9nm；d_3L=68.9nm；d_3H=46.0nm；d_4L=70.6nm；d_4H=47.2nm； d_5L=72.3nm；d_5H=48.3nm；d_6L=74nm；d_6H=49.4nm；d_7L=75.7nm；d_7H=50.6 nm；d_8L=77.4nm；d_8H=51.7nm；d_9L=79.1nm；d_9H=52.8nm；d_10L=80.8nm； d_10H=54nm；d_11L=82.5nm；d_11H=55.1nm；d_12L=84.2nm；d_12H=56.3nm； d_13L=85.9nm；d_13H=57.4nm；d_14L=87.6nm；d_14H=58.5nm；d_15L=89.3nm； d_15H=59.7nm；d_16L=91.0nm；d_16H=60.8nm；d_17L=92.7nm；d_17H=61.9nm； d_18L=94.4nm；d_18H=63.1nm；d_19L=96.1nm；d_19H=64.2nm；d_20L=97.8nm； d_20H=65.3nm；d_21L=99.5nm；d_21H=66.5nm；d_22L=101.2nm；d_22H=67.6nm； d_23L=102.9nm；d_23H=68.8nm；d_24L=104.6nm；d_24H=69.9nm；d_25L=106.3nm； d_25H=71.0nm；d_26L=108.0nm；d_26H=72.2nm；d_27L=109.7nm；d_27H=73.3nm； d_28L=111.4nm；d_28H=74.4nm；d_29L=113.1nm；d_29H=75.6nm；d_30L=114.8nm； d_30H=76.7nm；d_31L=116.5nm；d_31H=77.8nm；d_32L=118.2nm；d_32H=79.0nm； d_33L=119.9nm；d_33H=80.1nm；d_34L=121.6nm；d_34H=81.3nm；d_35L=123.3nm； d_35H=82.4nm；d_36L=125.0nm；d_36H=83.5nm；d_37L=126.7nm；d_37H=84.7nm； d_38L=128.4nm；d_38H=85.8nm；d_39L=130.1nm；d_39H=86.9nm；d_40L=131.8nm； d_40H=88.1nm。