[發(fā)明專利]電子束裝置和使用電子束裝置的圖像顯示裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010115887.0
• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN101866799A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 諏訪高典;武田俊彥;廣木珠代
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01J29/02
• 分類號: H01J29/02;H01J31/12
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 羅銀燕

1.一種電子束裝置，包括：

絕緣部件，所述絕緣部件在其表面上具有凹口；

柵極，所述柵極位于所述絕緣部件的表面上；

至少一個陰極，所述至少一個陰極具有從所述凹口的邊緣向所述柵極突起的突起部分，并且位于所述絕緣部件的表面上以使得所述突起部分與所述柵極相對；和

陽極，所述陽極被布置為經(jīng)由所述柵極與所述突起部分相對，

其中，在所述絕緣部件的表面上形成所述柵極，使得至少與所述陰極相對的區(qū)域的一部分向外突出，并且設(shè)置其中所述柵極的端部凹陷并且夾著突出區(qū)域的凹陷部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的電子束裝置，其中，如果假定所述柵極的所述突出區(qū)域的寬度為T5、所述陰極的寬度為T4、所述陰極的端部和所述柵極之間的最短距離為T13、并且所述柵極的所述突出區(qū)域從與所述陰極相對的區(qū)域突起的部分的長度為T12，那么滿足表達式T4＝T5或滿足表達式T5＞T4和T12＜T13，其中，T5、T4、T13和T12的單位為米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的電子束裝置，其中，如果假定沿所述柵極和所述絕緣部件的層疊方向的所述凹口的高度為T2、所述凹陷部分的凹陷距離為T8、所述陰極的功函數(shù)為Wf、并且通過在所述陰極和所述柵極之間施加的電壓Vf加速一個電子時的能量為EVf，那么滿足表達式T8≥6×T2×{1-(Wf/EVf)}，其中，T2和T8的單位為米，Wf和EVf的單位為電子伏特，Vf的單位為伏特。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的電子束裝置，其中，

兩個或更多個陰極被設(shè)置，并且

所述柵極在所述絕緣部件的表面上被形成為梳齒狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的電子束裝置，其中，與所述柵極的所述凹陷部分對應(yīng)的所述絕緣部件的至少一部分被形成為使得表面像所述凹陷部分那樣也凹陷。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的電子束裝置，其中，

在經(jīng)由所述凹陷部分與所述陽極相對的所述絕緣部件的表面上布置控制電極，并且

如果假定在所述陰極和所述柵極之間施加的電壓為Vf、在所述控制電極和所述柵極之間施加的電壓為Vc、在所述陽極和所述陰極之間施加的電壓為Va、所述絕緣部件的與設(shè)置所述柵極的一側(cè)相對的表面與所述陽極之間的距離為h、所述柵極的所述突出區(qū)域的寬度為T5、并且圓周率為π，那么滿足表達式T5＜5×(Vc/Va)×(h/π)和表達式Vf≥Vc，其中，Vf、Vc和Va的單位為伏特，h和T5的單位為米。

7.一種圖像顯示裝置，包括：

如權(quán)利要求1所述的電子束裝置；和

位于所述陽極外側(cè)的發(fā)光部件。