[發明專利]硅成膜裝置及其使用方法

有效

• 申請號: 201010115673.3
• 申請日: 2010-02-11
• 公開（公告）號: CN101812724A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 野呂尚孝;宮原孝廣
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C23F1/12;H01L21/20
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種硅成膜裝置的使用方法，其中，

上述裝置包括：

立式的石英制反應管，其具有用于收納多個硅晶圓的處理 區域；

石英制保持器具，其用于在上述處理區域內以沿上下設有 間隔地層疊上述硅晶圓的狀態保持上述硅晶圓；

加熱器，其被配設成圍著上述反應管，用于對上述處理區 域內的上述硅晶圓進行加熱；

氣體供給系統，其用于將處理氣體供給到上述處理區域；

以及排氣系統，其通過將氣體引到上述處理區域的上方而 對上述反應管進行排氣，

上述方法包括以下工序：

預涂層處理工序，在收納了未保持有產品用硅晶圓的上述 保持器具的上述反應管內，進行用硅涂層膜覆蓋上述反應管的 內表面和上述保持器具的表面的預涂層處理，在預涂層處理工 序中，利用上述排氣系統對上述反應管進行排氣，并且從在上 述處理區域的下側的第1位置具有最下開口部的第1供給口將 硅源氣體供給到上述反應管內；

蝕刻處理工序，其接著預涂層處理工序進行，在收納了保 持有多個產品用硅晶圓的上述保持器具的上述反應管內，進行 對形成在上述產品用硅晶圓表面上的自然氧化膜進行蝕刻的蝕 刻處理，在蝕刻處理工序中，利用上述排氣系統對上述反應管 進行排氣，并且從在上述處理區域與上述第1位置之間具有最 下開口部的第2供給口將氟化氫氣體供給到上述反應管內；

使硅外延生長的處理工序，其接著蝕刻處理工序進行，在 收納了保持有上述產品用硅晶圓的上述保持器具的上述反應管 內，進行在上述產品用硅晶圓的表面上形成硅產品膜的使硅外 延生長的處理，在使硅外延生長的處理工序中，利用上述排氣 系統對上述反應管進行排氣，并且從上述第1供給口將上述硅 源氣體供給到上述反應管內；

清除處理工序，其接著使硅外延生長的處理工序進行，在 收納了未保持有產品用硅晶圓的上述保持器具的上述反應管 內，進行對上述反應管的內表面和上述保持器具的表面上的硅 涂層膜進行蝕刻的清除處理，在清除處理工序中，利用上述排 氣系統對上述反應管進行排氣并且從在與上述第1位置相同的 高度或者位于該高度的下側的位置具有最下開口部的第3供給 口將清除氣體供給到上述反應管內，

上述第2供給口比預涂時形成在上述反應管的內壁上的上 述硅涂層膜的下端位置相同程度的高度位置更位于上方位置。

2.根據權利要求1所述的硅成膜裝置的使用方法，其中，

上述第2供給口還具有被配置在上述處理區域范圍內的高 度的追加的開口部。

3.根據權利要求2所述的硅成膜裝置的使用方法，其中，

上述第2供給口的上述最下開口部和上述追加的開口部被 分別形成在配設于上述反應管內的多個噴嘴上。

4.根據權利要求2所述的硅成膜裝置的使用方法，其中，

上述第2供給口的上述最下開口部和上述追加的開口部具 有多個氣體噴出孔，該多個氣體噴出孔形成在被配設于上述反 應管內且沿著上述處理區域在上下方向上延伸的氣體分散噴嘴 上。

5.根據權利要求1所述的硅成膜裝置的使用方法，其中，

上述第2供給口的上述最下開口部被配置在向下距上述硅 涂層膜的下端4mm的位置上方的位置。

6.根據權利要求1所述的硅成膜裝置的使用方法，其中，

上述蝕刻處理為了促進上述蝕刻處理所導致的生成物的氣 化，從在上述處理區域的下側具有最下開口部的第4供給口將氨 氣與上述氟化氫氣體一起供給到上述反應管內。

7.根據權利要求6所述的硅成膜裝置的使用方法，其中，

上述第4供給口在上述第2供給口的上述最下開口部的下側 具有開口部。

8.根據權利要求1所述的硅成膜裝置的使用方法，其中，

上述清除氣體是氟氣或三氟化氯氣體。