[發明專利]增益發光二極管出光效率的方法

無效

• 申請號: 201010115251.6
• 申請日: 2010-02-11
• 公開（公告）號: CN102157652A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 郭明騰;陳彰和;張簡慶華
• 申請（專利權）人: 華新麗華股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/22;H01L33/08
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種增益發光二極管出光效率的方法，其特征在于包括以下步驟：

提供發光二極管，依序包含基板、第一傳導型的第一層、活性層、以及相對于第一傳導型的第二傳導型的第二層；

在發光二極管的第一層、活性層、以及第二層中至少選定一層，于其上生長復數個凸部，以形成圖型化氧化層來保護發光二極管免于蝕刻；

控制凸部的高度以達到發光二極管預定蝕刻深度；

干蝕刻穿透部分的發光二極管，該部分未受圖型化氧化層的保護，以在發光二極管上形成復數個凹陷；以及

將氧化層自選定層移除。

2.如權利要求1的方法，其特征在于所述第一傳導型為p型，第二傳導型為n型。

3.如權利要求1的方法，其特征在于所述活性層具有量子井結構、同質接面結構、或異質接面結構。

4.如權利要求1的方法，其特征在于所述圖型化氧化層由水熱處理、電鍍、熱蒸鍍法、化學氣相沉積法(CVD)、或分子束磊晶法(MBE)所形成。

5.如權利要求1的方法，其特征在于所述圖型化氧化層由ITO、AZO、SiO₂、ZnO、MgO、MoO、Al₂O₃、TiO₂、NiO、CaO、BaO、MnO、CuO、SnO₂、或其混合所制成。

6.如權利要求1的方法，其特征在于所述凸部的形狀為六角錐狀、截頭的六角錐狀、或六角圓柱狀。

7.如權利要求1的方法，其特征在于所述圖型化氧化層至少部份形成于發光二極管的上表面或側面。

8.如權利要求1的方法，其特征在于所述干蝕刻步驟借由電漿蝕刻、電感式耦合電漿(ICP)蝕刻、離子光束蝕刻法、或反應性離子蝕刻來施行。

9.如權利要求1的方法，其特征在于所述凸部的直徑介于1nm(納米)與10μm(微米)之間。

10.如權利要求1的方法，其特征在于所述預定蝕刻深度借由控制干蝕刻步驟的反應時間來達成。

11.如權利要求1的方法，其特征在于進一步包括干蝕刻部分氧化層的步驟d1)。

12.如權利要求1的方法，其特征在于所述發光二極管的剖面形狀為楔形、矩形或階梯形。

13.如權利要求1的方法，其特征在于兩個相鄰的所述凸部距離小于1微米。

14.如權利要求1的方法，其特征在于所述移除步驟借由氫氯酸、硝酸或過氧化氫來施行。