[發明專利]制造納米棒信息存儲介質的方法無效
| 申請號: | 201010115178.2 | 申請日: | 2010-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN101800057A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發明(設計)人: | 金朱鎬;洪濤;金大煥;吳承真;崔善洛 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11B7/26 | 分類號: | G11B7/26;G11B7/242 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;馬翠平 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 納米 信息 存儲 介質 方法 | ||
本申請要求于2009年2月11日提交到韓國知識產權局的第10-2009-0011226號韓國專利申請的權益,該申請公開的內容通過引用全部包含與此。
技術領域
本發明的各方面涉及一種制造納米棒(nanorod)信息存儲介質的方法,通過該方法使用了納米棒的偏振吸收特性和波長吸收特性。
背景技術
通常,具有預定長徑比(aspect?ratio)的納米棒對預定波長的光表現出高吸收特性,納米棒的物理特性和光學特性可被應用到各種領域中。通常利用化學離析法(chemical?eduction?method)制造納米棒。為了使用通過化學離析法制造的納米棒,將納米棒涂覆到目標的表面,然后利用多種傳統的固定方法使納米棒固定到目標的表面。傳統的固定方法在許多方面具有缺點,因此在許多領域的應用受到限制。另外,根據化學離析法,在材料性質方面,納米棒的長徑比的范圍寬,但是不容易調節納米棒的長徑比。通過容易地調節納米棒的長徑比,可將納米棒應用到更寬的領域范圍,納米棒可用于更廣泛的目的。因此,需要對容易地調節納米棒的長徑比進行研究。
通過使用由于納米棒的光學特性變化和納米棒的取向方向的變化而出現的偏振吸收特性,納米棒可用于信息記錄領域,其中,通過調節納米棒的長徑比導致納米棒的光學特性變化。
發明內容
本發明的各方面提供一種制造高密度容量信息存儲介質的方法。
根據本發明的一方面,提供一種制造信息存儲介質的方法,該方法包括:利用包括與第一納米棒陣列對應的多個第一圖案的第一掩模,通過濺射在基底上形成第一納米棒記錄層。
該方法還可包括:利用分別具有不同取向角度的不同的多個圖案的多個掩模,重復地執行多次形成納米棒記錄層的步驟,來形成包括多個記錄層的記錄堆。
形成納米棒記錄層的步驟可包括:利用分別具有不同取向角度的不同的多個圖案的掩模來形成納米棒記錄層。
形成納米棒記錄層的步驟可包括:利用掩模通過沉積形成多個納米棒;形成掩埋所述多個納米棒的埋層。
該方法還可包括在納米棒記錄層之間形成隔層。
該方法還可包括:形成分別包括多個納米棒記錄層的多個記錄堆,所述多個納米棒記錄層通過重復地執行多次形成納米棒記錄層的步驟來形成;在所述多個記錄堆的每個之間形成隔層。
根據本發明的另一方面,提供一種通過記錄和/或再現設備實現的信息存儲介質,所述信息存儲介質包括:第一納米棒記錄層,包括具有第一取向角度的第一納米棒陣列,以使記錄和/或再現設備能夠利用具有與第一取向角度平行的偏振方向的光來向第一納米棒記錄層記錄信息或從第一納米棒記錄層再現信息;第二納米棒記錄層,包括具有與第一取向角度不同的第二取向角度的第二納米棒陣列,以使記錄和/或再現設備能夠利用具有與第二取向角度平行的偏振方向的光來向第二納米棒記錄層記錄信息或從第二納米棒記錄層再現信息。
根據本發明的另一方面,提供一種將數據記錄到信息存儲介質的記錄設備,所述信息存儲介質包括:包括具有第一取向角度的第一納米棒陣列的第一納米棒記錄層和包括具有與第一取向角度不同的第二取向角度的第二納米棒陣列的第二納米棒記錄層,所述設備包括:光源,發射記錄光;偏振調節器,設定發射的光的偏振方向;控制器,當在第一記錄層上記錄數據時,控制偏振調節器以將發射的光的偏振方向設定為與第一取向角度平行,當在第二記錄層上記錄數據時,控制偏振調節器以將發射的光的偏振方向設定為與第二取向角度平行。
根據本發明的又一方面,提供一種從信息存儲介質再現數據的設備,所述信息存儲介質包括:包括具有第一取向角度的第一納米棒陣列的第一納米棒記錄層和包括具有與第一取向角度不同的第二取向角度的第二納米棒陣列的第二納米棒記錄層,所述設備包括:光源,發射再現光;偏振調節器,設定發射的光的偏振方向,控制器,當從第一記錄層再現數據時,控制偏振調節器以將發射的光的偏振方向設定為與第一取向角度平行,當從第二記錄層再現數據時,控制偏振調節器以將發射的光的偏振方向設定為與第二取向角度平行。
根據本發明的再一方面,提供一種將數據記錄在信息存儲介質上的方法,所述信息存儲介質包括:包括具有第一取向角度的第一納米棒陣列的第一納米棒記錄層和包括具有與第一取向角度不同的第二取向角度的第二納米棒陣列的第二納米棒記錄層,該方法包括以下步驟:發射記錄光;當在第一記錄層上記錄數據時,利用記錄設備將發射的光的偏振方向控制為與第一取向角度平行,當在第二記錄層上記錄數據時,利用記錄設備將發射的光的偏振方向控制為與第二取向角度平行。
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