[發明專利]固態成像器件、電子裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201010114709.6 | 申請日: | 2010-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN101807591A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發明(設計)人: | 桝田佳明 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/82;H04N5/335;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 器件 電子 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種固態成像器件,包括:
多個光電轉換元件,設置在基板的成像面上,每個所述光電轉換元件接 收入射在光接收面上的光并進行光電轉換以產生信號電荷;
多個電極,插設在布置于所述基板的所述成像面上的所述光電轉換元件 之間;以及
多個遮光部,設置在所述多個電極上方并插設在布置于所述基板的所述 成像面上的所述光電轉換元件之間,
其中每個所述遮光部包括:
電極遮光部,形成為覆蓋相應的所述電極;和
像素分隔遮光部,從所述電極遮光部的上表面凸狀地突出,
所述多個光電轉換元件以第一節距布置在所述成像面上,
所述多個遮光部中的所述電極遮光部以第二節距布置在所述成像面上,
所述多個遮光部中的所述像素分隔遮光部以第三節距布置在所述成像 面上,以及
至少所述第三節距隨著從所述成像面的中心到周邊的距離的增加而增 大。
2.根據權利要求1所述的固態成像器件,
其中所述多個光電轉換元件形成為使得所述第一節距和所述光接收面 的面積隨著從所述成像面的中心到周邊的距離的增加而增大,并且
所述多個遮光部中的所述電極遮光部形成為使得所述第二節距隨著從 所述成像面的中心到周邊的距離的增加而增大。
3.根據權利要求2所述的固態成像器件,
其中所述多個光電轉換元件、所述多個遮光部中的所述電極遮光部以及 所述多個遮光部中的所述像素分隔遮光部形成為使得所述第一節距、所述第 二節距和所述第三節距在從所述成像面的中心到周邊的整個所述成像面上 以相同的比例增大。
4.根據權利要求1所述的固態成像器件,
其中所述多個光電轉換元件和所述多個電極遮光部設置為使得在從所 述成像面的中心到周邊的整個所述成像面上所述第一節距與所述第二節距 相等。
5.根據權利要求1所述的固態成像器件,
還包括濾色器,對應于所述多個光電轉換元件而設置在所述光電轉換元 件上方,
其中所述濾色器插設在布置于所述成像面上的所述多個像素分隔遮光 部之間。
6.根據權利要求5所述的固態成像器件,
其中每個所述濾色器具有面向相應的所述光接收面并朝向所述光接收 面凸狀地彎曲的表面并用作平凸透鏡,該平凸透鏡的下側為將光聚焦在所述 光接收面的凸表面。
7.根據權利要求5所述的固態成像器件,
其中具有比所述濾色器的折射率低的折射率的層插設在每個所述濾色 器和相應的所述遮光部之間,并且每個所述濾色器用作光導的芯,該光導將 光引導到相應的所述光接收面。
8.一種固態成像器件,包括:
多個光電轉換元件,設置在基板的成像面上,每個所述光電轉換元件接 收入射在光接收面上的光并進行光電轉換以產生信號電荷;
多個電極,插設在布置于所述基板的所述成像面上的所述光電轉換元件 之間;以及
多個遮光部,設置在所述多個電極上方并插設在布置于所述基板的所述 成像面上的所述光電轉換元件之間,
其中每個所述遮光部包括:
電極遮光部,形成為覆蓋相應的所述電極;和
像素分隔遮光部,從所述電極遮光部的上表面凸狀地突出,
所述光電轉換元件、所述電極遮光部和所述像素分隔遮光部以相同的節 距設置在所述成像面上,以及
所述像素分隔遮光部形成為在所述多個光電轉換元件之間寬度隨著從 所述成像面的中心到周邊的距離的增加而減小。
9.根據權利要求1到8中任一項所述的固態成像器件,
還包括多個芯片上透鏡,對應于所述光電轉換元件而設置在所述多個光 電轉換元件上方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





