[發(fā)明專利]用于光半導(dǎo)體封裝的片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010114553.1 | 申請日： | 2010-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN101847683A | 公開（公告）日： | 2010-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 末廣一郎;藤岡和也;松田廣和;赤澤光治;木村龍一;薄井英之 | 申請（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/52 | 分類號： | H01L33/52;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 楊海榮;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種用于光半導(dǎo)體封裝的片，包含剝離片和層壓在剝離片上的封裝樹脂層，
其中所述剝離片在與所述封裝樹脂層的界面處包含具有凹形狀和/或凸形狀的凹凸部形成層，并且所述封裝樹脂層在與所述剝離片的界面處具有與所述剝離片的凹形狀嵌合的凸形狀和/或與所述剝離片的凸形狀嵌合的凹形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的用于光半導(dǎo)體封裝的片，其中所述剝離片在150℃下具有10～1,000MPa的儲能模量，且在150℃下具有5.00％以下的片伸長率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的用于光半導(dǎo)體封裝的片，其中所述封裝樹脂層包含：具有與所述剝離片的凹形狀嵌合的凸形狀和/或與所述剝離片的凸形狀嵌合的凹形狀的凹凸部形成層；以及能夠包埋光半導(dǎo)體元件的元件包埋層，
其中所述封裝樹脂層的凹凸部形成層在20℃下具有6～1,500MPa的儲能模量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的用于光半導(dǎo)體封裝的片，其中所述封裝樹脂層中凸形狀的凸部的高度和/或凹形狀的凹部的深度為100nm～10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的用于光半導(dǎo)體封裝的片，其中所述剝離片還包含支承層。
6.一種光半導(dǎo)體裝置，其中，通過將根據(jù)權(quán)利要求1的用于光半導(dǎo)體封裝的片以封裝樹脂層面向基底的方式層壓至安裝有光半導(dǎo)體元件的基底上；進(jìn)行加壓成形；然后將剝離片剝離，從而在表面上形成凸形狀和/或凹形狀。
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