[發明專利]三角形GaN基發光二極管芯片的對稱電極有效
| 申請號： | 201010113816.7 | 申請日： | 2010-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN101794851A | 公開（公告）日： | 2010-08-04 |
| 發明（設計）人： | 孫莉莉;閆發旺;張會肖;王軍喜;王國宏;曾一平;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三角形 gan 發光二極管 芯片 對稱 電極 | ||
1.一種三角形GaN基發光二極管芯片的對稱電極，包括P電極和N 電極，其制備方法是：對GaN外延片進行臺面刻蝕，形成P型GaN臺面 和N型GaN溝槽，在P型GaN材料上生長P型電極，在溝槽內制備N型 電極，其特征在于：
LED芯片形狀為三角形，N型電極的焊盤位于三角形LED芯片的頂 角，N型條形電極自N型焊盤出發沿三角形LED芯片的邊緣環繞一周；
P型電極的焊盤位于三角形LED芯片的中心，P型條形電極首先沿垂 直于三角形LED芯片的底邊方向進行分布，然后再平行于三角形LED芯 片的邊緣分布；
在LED芯片內部N電極與P電極對稱分布，以保證三角形LED芯片 的電流分布均勻，從而提高三角形LED芯片的出光效率和壽命。
2.如權利要求1所述的三角形GaN基發光二極管芯片的對稱電極， 其特征在于：在該對稱電極中，P電極的生在過程是先在P型GaN上生長 透明導電薄膜，然后在透明導電薄膜上生長P電極。
3.如權利要求1所述的三角形GaN基發光二極管芯片的對稱電極， 其特征在于：將權利要求1中所述P型電極替換為N型電極，同時將權利 要求1中所述N型電極替換為P型電極。
4.如權利要求1所述的三角形GaN基發光二極管芯片的對稱電極， 其特征在于：P型電極和N型電極的條數能夠隨三角形芯片尺寸的大小進 行調整。
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