[發明專利]一種消除過寫、誤寫現象的電阻隨機存儲器

無效

• 申請號: 201010113783.6
• 申請日: 2010-02-25
• 公開（公告）號: CN102169720A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 林殷茵;吳雨欣;張佶;金鋼
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種電阻隨機存儲器，包括存儲陣列、行譯碼器、列譯碼器、列選通管、寫驅動電路、讀驅動電路和輸入/輸出緩沖模塊，其特征在于，還包括檢測電阻和比較器，檢測電阻用于反饋寫操作時寫驅動電路偏置于存儲陣列中的被寫存儲單元的阻值變化，并將所述反饋的信號輸入比較器，比較器的輸出信號輸入至寫驅動電路，以使所寫存儲單元被寫操作成功后自動關閉寫驅動電路。

2.根據權利要求1所述的電阻隨機存儲器，其特征在于，所述電阻型存儲器還包括：

延時單元，以及

MOS管；

所述延時單元同時輸入寫驅動電路的寫操作使能信號，延時單元的輸出端耦接于MOS管的柵極，所述MOS管的源極/漏極輸入特定電平信號，所述MOS管的漏極/源極耦接于所述比較器的輸出端。

3.如權利要求1或2所述的電阻隨機存儲器，其特征在于，所述檢測電阻的一端耦接于所述寫驅動電路的輸出端，所述檢測電阻的另一端同時耦接于列選通管和比較器的第一輸入端。

4.如權利要求3所述的電阻隨機存儲器，其特征在于，參考電壓輸入至比較器的第二輸入端，所述比較器的輸出端耦接于所述寫驅動電路的使能端。

5.如權利要求3所述的電阻隨機存儲器，其特征在于，所述存儲陣列包括多個由存儲介質和選通管組成的存儲單元，所述寫操作為將存儲介質由低阻態寫為高阻態的寫“0”操作。

6.如權利要求5所述的電阻隨機存儲器，其特征在于所述存儲介質為具有存儲特性的Cu_xO、WO_y、鎳的氧化物、鈦的氧化物、鋯的氧化物、鋁的氧化物、鈮的氧化物、鉭的氧化物、鉿的氧化物、鉬的氧化物、鋅的氧化物、SrZrO₃或PbZrTiO₃，其中，1＜x≤2、1＜y≤3。

7.如權利要求3所述的電阻隨機存儲器，其特征在于，還包括并聯于所述檢測電阻的兩端的開關；在進行讀操作時，所述開關導通；在進行由高阻態寫為低阻態的寫“1”操作時，所述開關導通；在進行由低阻態寫為高阻態的寫“0”操作時，所述開關斷開。

8.如權利要求2所述的電阻隨機存儲器，其特征在于，所述MOS管為PMOS管，所述MOS管的漏極/源極和所述比較器的輸出端同時連接于所述寫驅動電路的使能端，所述MOS管的源極/漏極接高電平的電源；所述寫操作使能信號為低電平時，代表不輸出寫操作信號，同時，PMOS管導通，寫驅動電路的使能端置高電平，寫驅動電路有效；所述寫操作使能信號為高電平時，代表輸出寫操作信號，同時，PMOS管關斷，寫驅動電路的使能端受比較器的輸出端控制。