[發明專利]電子源基板無效
| 申請號: | 201010113611.9 | 申請日: | 2002-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN101853760A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 蜂巢高弘 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01J29/02 | 分類號: | H01J29/02;H01J1/316 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 孫蕾 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 源基板 | ||
本申請是申請日為2002年8月23日、申請號為200510091605.7,發明名稱為“電子源基板和使用該基板的圖像形成裝置”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及使用了電子發射元件的電子源基板及其制造方法和使用了電子源基板的圖像形成裝置。
背景技術
以往,作為利用了電子發射元件的圖像形成裝置,已知有使形成了多個冷陰極電子發射元件的電子源基板與具備透明電極和熒光體的陽極電極平行地對置并進行了抽真空的平面型電子束顯示面板。在這樣的圖像形成裝置中,使用了電場發射型電子發射元件的裝置例如有在I.Brodie,”Advanced?technology:flat?cold-cathode?CRTs(先進的技術:平板冷陰極CRT)”,Information?Display,1/89,17(1989)中公開的裝置。此外,在特開昭63-274047號公報、在特開昭63-274048號公報、USP4904895等中,公開了在基板表面上具有一對電極的電場發射型電子發射元件。
此外,例如在USP5066883號等中公開了使用表面傳導型電子發射元件的裝置。平面型的電子束顯示面板與現在廣泛地使用的陰極射線管(CRT)顯示裝置相比,可謀求輕量化、大畫面化,此外,與利用液晶的平面型顯示面板或等離子顯示器、電致發光顯示器等其它的平面型顯示面板相比,可提供更高的亮度、高品質的圖像。
特別是,表面傳導型電子發射元件的結構簡單、制造也容易,不象電場發射型的電子發射元件那樣經過采用光刻技術的復雜的制造工藝,具有能在大面積上制造排列并形成了多個元件的電子源基板的優點。
圖10示出了在特開平6-342636號公報中公開的、使用了表面傳導型電子發射元件的電子源基板。圖10示出了電子源基板的一部分的平面圖。在此,在圖10中,1是基板,2、3是元件電極,4是具有電子發射部的導電性薄膜,5是電子發射部,元件電極2、3分別連接到下布線6、上布線7上,利用層間絕緣膜8對下布線6和上布線7進行了電絕緣。101是表面傳導型電子發射元件。
在此,通過分別依次對以矩陣狀配置的上布線7和下布線6施加規定的電壓作為掃描信號、信息信號,可有選擇地驅動位于矩陣的交點的規定的電子發射元件。
通過使用比較簡單的光刻技術可制造這樣的以矩陣方式配置的電子源基板,但在形成更大的基板的情況下,最好使用印刷技術。特別是對于施加掃描信號的上布線,由于連接到一行上的元件數越多、流過布線的電流越增加,產生了因布線電阻引起的電壓降,故最好用厚膜來形成布線以盡可能減小電阻。
在特開平8-180797號公報等中,公開了利用網板印刷法形成布線和層間絕緣層的制造方法。關于其它的構件,例如在特開平9-17333號公報等中公開了利用偏移印刷法等形成元件電極的制造方法,在導電性薄膜方面,在特開平9-69334號公報等中公開了利用噴墨法來形成的制造方法。通過使用這些印刷技術,可容易地制造大面積的電子源基板。
此外,在表面傳導型電子發射元件中,除了上述以外,也作了各種各樣的報告,例如,報告了使用SnO2薄膜的元件〔M.I.Elinson,RadioEng.Electron?Phys.,10,1290(1965)〕、〔G.Dittmer:”Thin?Solid?Films”9,317(1972)〕、使用In2O3/SnO2薄膜的元件〔M.Hartwell?and?C.G.Fonstad,”IEEE?Trans.ED?Conf.”,519(1975)〕、使用碳薄膜的元件〔荒木久等:真空、第26卷、第1號、22頁(1983)〕等,但例如在特開平2-56822號公報中公開了使用氧化鈀等的金屬微粒子膜的表面傳導型電子發射元件。
在制造表面傳導型電子發射元件中,一般來說,通常利用被稱為化成(forming)的通電處理,在導電性薄膜4中形成電子發射部5。所謂化成,是在導電性薄膜4的兩端施加和接通直流電壓或非常緩慢地上升的電壓、例如1V/分鐘的電壓以使導電性薄膜4局部地破壞、變形或變質來形成龜裂的處理。
再有,在進行了化成后,通過對導電性薄膜4施加電壓并在元件中流過電流,從龜裂附近使電子發射。此時,將發射電子的部位稱為電子發射部5。
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