[發明專利]射頻金屬-氧化物-半導體場效應晶體管

無效

• 申請號: 201010113496.5
• 申請日: 2010-02-25
• 公開（公告）號: CN102169895A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 廖英豪;傅春曉;程玉華
• 申請（專利權）人: 上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種射頻金屬氧化物半導體場效應晶體管，包括源極、漏極、柵極和襯底，所述柵極由子柵和連接子柵的側柵構成，其特征在于，還包括連接源極及源端的源金屬層、連接漏極及漏端的漏金屬層和連接側柵及柵輸入端的側柵金屬層，其中

源金屬層覆蓋并延伸出源極，其在有源區的投影與漏極和子柵無交疊；

漏金屬層覆蓋并延伸出漏極，其在有源區的投影與源極和子柵無交疊；

側柵金屬層覆蓋并延伸出側柵，其在有源區的投影與源極和漏極無交疊；以及

源金屬層、漏金屬層及柵金屬層中，由相同層金屬形成的部分無交叉。

2.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述源金屬層的結構為：覆蓋于源極上的源金屬層由第一層金屬及第二層金屬連接形成，延伸出源極的源金屬層由第二層金屬形成；以及

所述漏金屬層的結構為：覆蓋于漏極上的漏金屬層由第一層金屬及第二層金屬連接形成，延伸出漏極的漏金屬層為第二層金屬形成。

柵輸入端由相互連接的柵第一金屬層和柵第二金屬層構成，其中柵第一金屬層由第一層金屬形成，柵第二金屬層由第二層金屬形成，且柵第一金屬層連接至側柵金屬層；及

源端和漏端均由第二金屬層形成。

3.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述側柵有兩條，其中一條側柵上覆蓋有側柵金屬層，另一條側柵未覆蓋側柵金屬層。

4.如權利要求3所述的晶體管，其特征在于，源金屬層向側柵金屬層的方位，漏金屬層向未覆蓋側柵金屬層的側柵的方位延伸；以及

源金屬層的結構為：覆蓋于源極上的部分由第一層金屬及第二層金屬連接形成，延伸出源極的部分由第二層金屬形成；

源端由第二層金屬形成；

漏金屬層由第一層金屬形成；

漏端由第一層金屬及第二層金屬連接形成，其中漏端的第一層金屬與漏金屬層連接。

5.如權利要求3所述的晶體管，其特征在于，漏金屬層向側柵金屬層的方位，源金屬層向未覆蓋側柵金屬層的側柵的方位延伸；以及

漏金屬層的結構為：覆蓋于漏極上的部分由第一層金屬及第二層金屬連接形成，延伸出漏極的部分由第二層金屬形成；

漏端由第二層金屬形成；

源金屬層由第一層金屬形成；

源端由第一層金屬及第二層金屬連接形成，其中源端的第一層金屬與源金屬層連接。

6.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述側柵有兩條；以及

各個側柵上均有側柵金屬層；以及

所有側柵金屬層均連接至柵輸入端。