[發(fā)明專利]一種多芯片LED光源模組及其制作方法

無效

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• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN101814487A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 劉立林;王鋼;凌敏捷;鐘健偉
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L25/13
• 分類號: H01L25/13;H01L33/60;H01L33/64
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 禹小明

1.一種多芯片LED光源模組，包括多個LED光源單元，每個LED光源單元包括相互固連的透明水平基板和透明導電層，LED芯片置于透明導電層上，所述透明導電層上未設置LED芯片的位置覆蓋有絕緣層，絕緣層上表面覆蓋厚度小于LED芯片的光敏介質，其特征在于：相鄰LED光源單元之間的光敏介質形成凹狀結構，在光敏介質和LED芯片上表面依次設有厚度均勻的反射鏡膜以及散熱金屬層，形成以LED芯片為中心的凸臺形狀結構。

2.根據權利要求1所述的多芯片LED光源模組，其特征在于：所述透明水平基板未與透明導電層固連的一側表面為凹凸結構。

3.根據權利要求1所述的多芯片LED光源模組，其特征在于：所述透明水平基板未與透明導電層固連的一側表面覆蓋有光學透鏡或者熒光粉膜層。

4.根據權利要求1至3任一項所述的多芯片LED光源模組，其特征在于：所述反射鏡膜為多層金屬結構，所述散熱金屬層材質為Cu。

5.一種如權利要求1的多芯片LED光源模組的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

A、在透明水平基板上沉積透明導電層；

B、將LED芯片出光面固定在透明導電層；

C、在透明導電層表面上未固有LED芯片的位置涂覆絕緣層并在絕緣層表面涂覆凹狀結構的光敏介質；

D、在光敏介質和LED芯片上表面沉積反射鏡膜并電鍍散熱金屬層形成以LED芯片為中心的凸臺形狀結構。

6.根據權利要求5所述的多芯片LED光源模組的制作方法，其特征在于：步驟C包括以下步驟：

E、在透明導電層以及LED芯片上表面旋涂正性光刻膠，并利用紫外光透過透明水平基板進行曝光；

F、用顯影液將透明導電層上的正性光刻膠去除，并沉積絕緣層，去除LED芯片上表面的光刻膠；

H、在LED芯片上表面及絕緣層上旋涂液態(tài)光敏介質，并利用紫外光透過透明水平基板進行曝光，去除LED芯片上表面光敏介質。

7.根據權利要求5所述的多芯片LED光源模組的制作方法，其特征在于：所述步驟C包括以下步驟：

I、在透明導電層及LED芯片上表面沉積絕緣層并旋涂負性光刻膠；

J、利用紫外光透過透明水平基板，以芯片作為掩膜進行曝光，并去除LED芯片上表面的負性光刻膠；

K、對剩余負性光刻膠進行堅膜和固膠處理，并刻蝕掉LED芯片上表面的絕緣層。

8.根據權利要求5至7任一項所述的多芯片LED光源模組的制作方法，其特征在于：步驟A中，所述沉積方法為濺射、蒸發(fā)或者CVD，步驟D中反射鏡膜為Ag、Cr、Au層組成的厚度為50-500nm的多層結構，所述散熱金屬為厚度為20-300um的Cu。

9.根據權利要求6或7所述的多芯片LED光源模組的制作方法，其特征在于：所述絕緣層為采用PECVD工藝沉積的厚度為100-300nm的SiO₂或SiN。

10.根據權利要求5至7任一項所述的多芯片LED光源模組的制作方法，其特征在于：所述凸臺形狀結構側面形狀由液態(tài)光敏介質的表面張力和LED芯片的高度進行調節(jié)。