[發(fā)明專利]高壓金屬氧化物半導體元件與制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010113197.1
• 申請日: 2010-02-04
• 公開（公告）號: CN102148248A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設計）人: 黃宗義;朱煥平;楊清堯;蘇宏德
• 申請（專利權(quán)）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

1.一種高壓金屬氧化物半導體元件，其特征在于，包含：

一基板；

位于該基板表面上的一柵極結(jié)構(gòu)；

位于該基板內(nèi)部的一P型井區(qū)，從頂面視之此P型井區(qū)在水平面上構(gòu)成一元件區(qū)；

位于該P型井區(qū)內(nèi)部的一第一N型漂移區(qū)；

位于該P型井區(qū)內(nèi)部的一N型源極；

位于該第一N型漂移區(qū)內(nèi)部的一N型漏極，其與該柵極結(jié)構(gòu)以該第一N型漂移區(qū)隔開；以及

位于該P型井區(qū)與該第一N型漂移區(qū)交界處且僅涵蓋部分元件區(qū)的一第一P型摻雜區(qū)，該第一P型摻雜區(qū)以離子植入技術(shù)，植入P型雜質(zhì)，以加強該高壓金屬氧化物半導體元件的崩潰防護電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓金屬氧化物半導體元件，其中，從剖面圖視之，該第一P型摻雜區(qū)的一端至多延伸至該N型漏極中點，另一端至少延伸至該柵極結(jié)構(gòu)下方一部分。

3.如權(quán)利要求2所述的高壓金屬氧化物半導體元件，其中，該高壓金屬氧化物半導體元件為一非對稱元件，其更包含：

一與該N型源極部分重疊且部分位于該柵極結(jié)構(gòu)下方的N型輕摻雜區(qū)。

4.如權(quán)利要求2所述的高壓金屬氧化物半導體元件，其中，該高壓金屬氧化物半導體元件為一對稱元件，其更包含：

位于該P型井區(qū)內(nèi)部的一第二N型漂移區(qū)，以隔開該N型源極與該柵極結(jié)構(gòu)；以及

位于該P型井區(qū)與該第二N型漂移區(qū)交界處且僅涵蓋部分元件區(qū)的一第二P型摻雜區(qū)，其中從剖面圖視之，該第二P型摻雜區(qū)的一端至多延伸至該N型源極中點，另一端至少延伸至該柵極結(jié)構(gòu)下方一部分。

5.一種高壓金屬氧化物半導體元件，其特征在于，包含：

一基板；

位于該基板表面上的一柵極結(jié)構(gòu)；

位于該基板內(nèi)部的一N型井區(qū)，從頂面視之此N型井區(qū)在水平面上構(gòu)成一元件區(qū)；

位于該N型井區(qū)內(nèi)部的一第一P型漂移區(qū)；

位于該N型井區(qū)內(nèi)部的一P型源極；

位于該第一P型漂移區(qū)內(nèi)部的一P型漏極，其與該柵極結(jié)構(gòu)以該第一P型漂移區(qū)隔開；以及

位于該P型漏極與該第一P型漂移區(qū)交界處且僅涵蓋部分元件區(qū)的一第一P型摻雜區(qū)，該第一P型摻雜區(qū)以離子植入技術(shù)，植入P型雜質(zhì)，以降低該高壓金屬氧化物半導體元件的導通阻值。

6.如權(quán)利要求5所述的高壓金屬氧化物半導體元件，其中，從剖面圖視之，該第一P型摻雜區(qū)的一端至多延伸至該N型井區(qū)與第一P型漂移區(qū)的交界處。

7.如權(quán)利要求6所述的高壓金屬氧化物半導體元件，其中，該高壓金屬氧化物半導體元件為一非對稱元件，其更包含：

一與該P型源極部分重疊且部分位于該柵極下方的P型輕摻雜區(qū)。

8.如權(quán)利要求6所述的高壓金屬氧化物半導體元件，其中，該高壓金屬氧化物半導體元件為一對稱元件，其更包含：

位于該N型井區(qū)內(nèi)部的一第二P型漂移區(qū)，以隔開該P型源極與該柵極結(jié)構(gòu)；以及

位于該N型井區(qū)與該第二P型漂移區(qū)交界處且僅涵蓋部分元件區(qū)的一第二P型摻雜區(qū)，其中從剖面圖視之，該第二P型摻雜區(qū)的一端至多延伸至該N型井區(qū)與第二P型漂移區(qū)的交界處。

9.一種制作高壓金屬氧化物半導體元件的方法，其特征在于，包含以下步驟：

提供一基板；

于該基板內(nèi)部形成一第一導電型井區(qū)，從頂面視之此第一導電型井區(qū)在水平面上構(gòu)成一元件區(qū)；

于該第一導電型井區(qū)內(nèi)部形成一第二導電型的漂移區(qū)；

位于該基板表面上，形成一柵極結(jié)構(gòu)；

于該第一導電型井區(qū)內(nèi)部形成一第二導電型源極；

于該第一漂移區(qū)內(nèi)部形成一第二導電型漏極，其與該柵極結(jié)構(gòu)以該漂移區(qū)隔開；以及

以離子植入技術(shù)，植入P型雜質(zhì)，以于該基板表面下方形成一不涵蓋整個元件區(qū)的P型摻雜區(qū)，以在調(diào)整臨界電壓的同時加強該半導體元件的崩潰防護電壓或降低該半導體元件的導通阻值。

10.如權(quán)利要求9所述的制作高壓金屬氧化物半導體元件的方法，其中，該第一導電型為P型，第二導電型為N型，且該P型摻雜區(qū)位于該第一導電型井區(qū)與該漂移區(qū)交界處且僅涵蓋部分元件區(qū)，用以增加該高壓金屬氧化物半導體元件的崩潰電壓。