[發明專利]基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結構

無效

• 申請號: 201010112848.5
• 申請日: 2010-01-29
• 公開（公告）號: CN101771000A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠;顧炯炯
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/36;H01L23/373
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

(一)技術領域

本發明涉及一種基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結構。屬于半導體封裝技術領域。

(二)背景技術

傳統的芯片封裝形式的散熱方式，主要是采用了芯片下方的金屬基島作為散熱傳導工具或途徑，而這種傳統封裝方式的散熱傳導存在以下的不足點：

1、金屬基島體積太小

金屬基島在傳統封裝形式中，為了追求封裝體的可靠性安全，幾乎都采用了金屬基島埋入在封裝體內，而在有限的封裝體內，同時要埋入金屬基島及信號、電源傳導用的金屬內腳(如圖1及圖2所示)，所以金屬基島的有效面積與體積就顯得非常的小，而同時金屬基島還要來擔任高熱量的散熱的功能，就會顯得更為的不足了。

2、埋入型金屬基島(如圖1及圖2所示)

金屬基島在傳統封裝形式中，為了追求封裝體的可靠性安全，幾乎都采用了金屬基島埋入在封裝體內，而金屬基島是依靠左右或是四個角落細細的支撐桿來固定或支撐金屬基島，也因為這細細的支撐桿的特性，導致了金屬基島從芯片上所吸收到的熱量，無法快速的從細細的支撐桿傳導出來，所以芯片的熱量無法或快速的傳導到封裝體外界，導致了芯片的壽命快速老化甚至燒傷或燒壞。

3、金屬基島露出型(如圖3及圖4所示)

雖然金屬基島是露出的，可以提供比埋入型的散熱功能還要好的散熱能力，但是因為金屬基島的體積及面積在封裝體內還是非常的小，所以能夠提供散熱的能力，還是非常有限。

(三)發明內容

本發明的目的在于克服上述不足，提供一種能夠提供散熱的能力強的基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結構。

本發明的目的是這樣實現的：一種基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結構，包含有芯片、芯片下方的所承載的金屬基島、金屬內腳、芯片到金屬內腳的信號互連的金屬絲、芯片與金屬基島之間的導電或不導電的導熱粘結物質I和塑封體，所述金屬基島1埋入塑封體，在所述芯片上方設置有散熱塊，該散熱塊與所述芯片之間嵌置有導電或不導電的導熱粘結物質II；在所述散熱塊上方設置有散熱器，該散熱器與所述散熱塊之間嵌置有導電或不導電的導熱粘結物質III，所述散熱塊呈倒置的“T”型結構。

本發明的有益效果是：

本發明通過在芯片上方增置散熱塊，以及在塑封體外增設散熱器，來擔任高熱量的散熱的功能，能夠提供散熱的能力強，使芯片的熱量能快速的傳導到封裝體外界。可以應用在一般的封裝形式的封裝體及封裝工藝上使其成為高或是超高散熱(High?Thermal?or?Super?High?Thermal)能力，如FBP可以成為SHT-FBP/QFN可以成為SHT-QFN/BGA可以成為SHT-BGA/CSP可以成為SHT-CSP……。避免了芯片的壽命快速老化甚至燒傷或燒壞。

(四)附圖說明

圖1為以往金屬基島埋入型芯片封裝結構示意圖。

圖2為圖1的俯視圖。

圖3為以往金屬基島露出型芯片封裝結構示意圖。

圖4為圖3的俯視圖。

圖5為本發明基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結構示意圖。

圖中附圖標記：

金屬基島1、導電或不導電的導熱粘結物質I2、芯片3、金屬內腳4、金屬絲5、導電或不導電的導熱粘結物質II6、散熱塊7、塑封體8、散熱器11、導電或不導電的導熱粘結物質III13。

(五)具體實施方式

參見圖5，圖5為本發明基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結構示意圖。由圖5可以看出，本發明基島埋入芯片正裝倒T型散熱塊外接散熱器封裝結構，包含有芯片3、芯片下方的所承載的金屬基島1、金屬內腳4、芯片到金屬內腳的信號互連的金屬絲5、芯片與金屬基島之間的導電或不導電的導熱粘結物質I2和塑封體8，所述金屬基島1埋入塑封體8，在所述芯片3上方設置有散熱塊7，該散熱塊7與所述芯片3之間嵌置有導電或不導電的導熱粘結物質II6；在所述散熱塊7上方設置有散熱器11，該散熱器11與所述散熱塊7之間嵌置有導電或不導電的導熱粘結物質III13。

所述散熱塊7的材質可以是銅、鋁、陶瓷或合金等。

所述散熱器11的材質可以是銅、鋁、陶瓷或合金等。

所述散熱塊7呈倒置的“T”型結構。