[發(fā)明專利]單晶爐裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010112330.1 | 申請日： | 2010-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN101838841A | 公開（公告）日： | 2010-09-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 舟橋啟;賀賢漢;河野貴之 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海漢虹精密機械有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200444 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶爐 裝置 | ||
1.一種單晶爐裝置，包括熱屏和石英坩堝，其特征在于，所述熱屏是由斷熱材、熱屏罩、反射板組成，斷熱材設置在石英坩堝的上方，其下部直徑小于上部直徑，斷熱材的內(nèi)側(cè)和外側(cè)分別被內(nèi)熱屏罩和外熱屏罩覆蓋，其內(nèi)熱屏罩內(nèi)側(cè)放置有反射板，反射板環(huán)繞拉晶中的晶棒，反射板與內(nèi)熱屏罩之間未預留空間。
2.如權(quán)利要求1所述的單晶爐裝置，其特征在于，內(nèi)熱屏罩和外熱屏罩為一體制成的熱屏罩，斷熱材的四周都由熱屏罩包覆。
3.如權(quán)利要求1或2所述的單晶爐裝置，其特征在于，反射板的材質(zhì)采用即使長時間暴露在高溫中變形仍然很小、輻射率很低的鉬或者鎢。
4.如權(quán)利要求1或2所述的單晶爐裝置，其特征在于，反射板為作過鏡面處理的反射板。
5.如權(quán)利要求1或2所述的單晶爐裝置，其特征在于，熱屏上部設置上部斷熱材。
6.如權(quán)利要求1或2所述的單晶爐裝置，其特征在于，熱屏罩的材質(zhì)為石墨或C/C復合材料。
7.如權(quán)利要求1或2所述的單晶爐裝置，其特征在于，反射板呈現(xiàn)上面大、下面小的圓臺狀。
8.如權(quán)利要求2所述的單晶爐裝置，其特征在于，反射板與熱屏罩齊高。
9.如權(quán)利要求2所述的單晶爐裝置，其特征在于，反射板的下底面與熱屏罩的下底面齊平，反射板的上底面低于內(nèi)熱屏罩的上底面。
10.如權(quán)利要求9所述的單晶爐裝置，其特征在于，反射板的高度小于內(nèi)熱屏罩的高度。
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