[發明專利]一種低溫多晶硅薄膜材料

無效

• 申請號: 201010112041.1
• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN101834126A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 彭俊華;黃飚;黃宇華
• 申請（專利權）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/336
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，其自下而上順序地包括：

襯底；

具有凹槽結構的第一阻擋層；

金屬誘導層；

第二阻擋層；和

多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述第一阻擋層包括多個凹槽和位于凹槽之間的凸起部分。

3.根據權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，相鄰兩個凸起部分之間的間距可以為10～100微米，凸起的高度為1～5納米。

4.根據權利要求3所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述凸起部分的截面為矩形或梯形。

5.根據權利要求4所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述矩形寬為1.5～3.0微米。

6.根據權利要求4所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述梯形的上底寬度為0.5-3.0微米，下底寬度為0.5-6.0微米。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述金屬誘導層具有沿第一阻擋層的凹凸結構。

8.根據權利要求7所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述第二阻擋層的厚度足以使第二阻擋層覆蓋所述金屬誘導層的凹凸結構。

9.根據權利要求8所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述第二阻擋層與非晶硅層的接觸平面為平坦的。

10.根據權利要求9所述的低溫多晶硅薄膜材料，其特征在于，從金屬誘導層的凹槽到第二阻擋層的上表面的距離大約為3.0～4.0微米；從金屬誘導層的凸起部分到第二阻擋層的上表面的距離大約為1.0～2.0微米。