[發明專利]一種多晶硅薄膜材料的制造方法

無效

• 申請號: 201010111994.6
• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN101834122A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 彭俊華;黃飚;黃宇華
• 申請（專利權）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/336
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)：選定襯底，在該襯底上形成第一阻擋層；

步驟2)：在所述第一阻擋層上依次形成金屬誘導層、第二層阻擋層和非晶硅層；

步驟3)：對步驟2)所得產物進行第一退火處理，得到已部分晶化的薄膜；

步驟4)：在上述已部分晶化的薄膜上形成金屬吸附層；

步驟5)：對步驟2)所得產物進行第二退火處理；

步驟6)：去除經所述第二退火處理后的金屬吸附層。

2.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述第一和第二阻擋層包括金屬、碳化硅、硅的氧化物或硅的氮化物，厚度為0.1-1.0微米。

3.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述步驟2)中的金屬誘導層中含有Ni、Ai、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pb、Cu中的任意1種或1種以上。

4.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述金屬誘導層厚度在100～900納米之間。

5.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述步驟2)中的非晶硅薄膜厚度為1-100納米。

6.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述步驟3)中的第一退火處理溫度為450-600℃，處理時間為1-2小時，加熱處理所在的氣氛為氮氣或惰性氣體。

7.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述第一退火處理溫度為590℃，處理時間為1-2小時，加熱處理所在的氣氛為惰性氣體。

8.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述步驟4)中的金屬吸附層包括磷硅玻璃、硅的氧化物或硅的氮化物，厚度在100～900納米之間。

9.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述所述步驟5)中的第二退火處理溫度為450-600℃，處理時間為2-3小時，加熱處理所在的氣氛為氮氣或惰性氣體。

10.根據權利要求1至7中任一項所述的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述步驟1)中的襯底包括玻璃、不銹鋼或柔性材料襯底。